1) RF plasma MBE
射频等离子体分子束外延
2) radio frequency plasma-assisted molecular beam epitaxy
射频等离子体辅助分子束外延
1.
The main task of this paper is to investigate the growth of high quality single crystalline Zinc Oxide (ZnO) thin film on sapphire (0001; α-Al_2O_3) substrate via radio frequency plasma-assisted molecular beam epitaxy (rf-MBE).
本论文的主要任务是研究在蓝宝石(0001)衬底上利用射频等离子体辅助分子束外延(rf-MBE)系统生长出高质量的氧化锌(ZnO)单晶外延薄膜，为ZnO这一新颖的半导体材料在光电子器件方面得到应用打下基础。
3) plasma-assisted molecular beam epitaxy
等离体辅助分子束外延
4) P-MBE
等离子辅助分子束外延
5) plasma-enhanced molecular beam epitaxy
等离子体增强分子束外延
6) plasma assisted molecular beam epitaxy
等离子体辅助分子束外延
补充资料：分子束外延（molecularbeamepitaxy(MBE)）
分子束外延（molecularbeamepitaxy(MBE)）
分子束外延是一种超高真空条件下的物理气相淀积方法。其工作原理是在超高真空系统中，使分子或原子束连续不断地撞击到被加热的衬底表面上而获得均匀外延层。在分子束外延过程中，各种成分的束强度可以分别控制。分子束外延的特点是生长速率相当低，典型的为0.1～0.2μm/h，因而能精细控制生长层的厚度，可以生长极薄的外延层。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条