1) nonlinear time-varying interval matrices
非线性时变区间矩阵
1.
Additionally,the stability of linear timevarying interval matrices and nonlinear time-varying interval matrices is also studied.
本文讨论了对称区间矩阵的稳定性并给出了一个简单的充分必要条件，同时还讨论了线性时变区间矩阵和非线性时变区间矩阵的稳定性。
2) linear time-varying interval matrices
线性时变区间矩阵
1.
Additionally,the stability of linear timevarying interval matrices and nonlinear time-varying interval matrices is also studied.
本文讨论了对称区间矩阵的稳定性并给出了一个简单的充分必要条件，同时还讨论了线性时变区间矩阵和非线性时变区间矩阵的稳定性。
3) time-varying interval matrix
时变区间矩阵
1.
Some Criteria for Stability of Time-Varying Interval Matrix;
时变区间矩阵稳定的判别准则
2.
In this paper,we research stability of unbounded time-varying interval matrix,the sufficient conditions of stability about unbounded time-varying interval matrix and interval matrix decomposed are obtained,the resultS of the paper [1￣2] are extended and improved.
本文对无界时变区间矩阵Ｎ［Ｐ（ｔ），Ｑ（ｔ）］的稳定性进行了研究，给出了无界时对变区间矩阵和具有分解的时变区间矩阵Ｎ［Ｐ（ｔ），Ｑ（ｔ）］稳定的充分条件，推广和改进了文［１，２］的工作。
4) nonlinear stiffness matrix
非线性刚度矩阵
5) nonlinear matrix equations
非线性矩阵方程
1.
On the Solutions of Two Nonlinear Matrix Equations;
关于两类非线性矩阵方程的解
6) Nonlinear matrix equation
非线性矩阵方程
1.
An iterative method which is used to find the positive definite solution of the nonlinear matrix equation X+A~*X~(-n)A=I is constructed,where the matrix A is nonsingular and A~*A=AA~*.
构造了一个求解非线性矩阵方程X+A*X-nA=I的正定解的迭代公式,这里A为非奇异正规阵。
2.
Nonlinear matrix equations arise in areas of control theory, ladder networks, dy-namic programming, queueing theory, stochastic filtering and statistics.
非线性矩阵方程来源于控制理论,梯形网络,动态规划,排队理论,随机过滤,统计学等应用领域。
3.
Based on the monotone operator fixed point theorem in normal cone,the positive definite solution of the nonlinear matrix equation X-(sum from i=1 to m) A_i*X~δA_i=Q is investigated.
基于正规锥上单调算子的不动点定理,本文研究非线性矩阵方程X-(sum from i=1 to m) A_i*X~δA_i=Q的正定解。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条