1) time-variant nonlinear
时变非线性
2) nonlinear time-varying
非线性时变
1.
Identifying nonlinear time-varying structural system based on NARMA model;
利用NARMA模型辨识非线性时变结构系统
3) nonlinear time-varying feature
非线性时变特性
1.
Aiming at the tracking control problem of hydraulic position servo systems with nonlinear time-varying feature, a design method of filtered-X hydraulic position adaptive inverse control was presented based on adaptive inverse control.
针对非线性时变特性的液压位置伺服系统跟踪控制问题,基于自适应逆控制理论,提出X滤波液压位置自适应逆控制策略。
4) linear and nonlinear time varying delays
线性及非线性时变时延
1.
A new method is proposed for stability analysis of neural networks with linear and nonlinear time varying delays.
对一类含线性及非线性时变时延神经网络系统提出了一种研究稳定性的新方法。
5) nonlinear time varying system
非线性时变系统
1.
Identification of nonlinear time varying systems based on recurrent neural networks;
基于回归神经网络的非线性时变系统辨识
2.
As it is well known,it is difficult to identify a nonlinear time varying system using traditional identification approaches,especially under unknown nonlinear function.
提出一种将前馈神经网络用于非线性时变系统辩识的学习算法 ,其要点是把网络权值看作时变系统的一个状态 ,用卡尔曼滤波估计此状态 ,于是网络实现了非线性和时变的映射 。
6) time-varying nonlinear system
非线性时变系统
1.
The performance of the algorithm is evaluated on the identification of some typical time-varying nonlinear system including the three degrees of freedom structural system with nonlinear time-varying stiffness.
针对基于前向神经网络的普通递推最小二乘估计存在着自适应跟踪慢和精度低的问题,提出了一种可对非线性时变系统进行快速辨识的新方法,因该方法有类似递推最小二乘算法的形式,称其为基于前向神经网络的快速递推最小二乘算法。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条