1) thermal resistance
热阻率
1.
The thermal resistance method and bottom hole temperatures are used to determine heat flow and subsurface temperature.
文中利用热导率分散模型，根据地层中砂质含量数据计算东营凹陷第三系各沉积地层单元的原地热导率，再利用热阻率法根据东营凹陷１７０ 口测温井中测温资料计算出第三系各地层界面上和特征深度处温度，进而研究东营凹陷现今地下温度场。
2) thermal resistivity of soil
地热阻率
3) thermal resistance
热阻
1.
Mechanism of heat transfer enhancement for converging-diverging tubes and thermal resistance distribution;
应用热阻分析缩放管强化传热机理
2.
Study of thermal resistance of burn-in model of VLSI;
VLSI老化模型参数热阻的研究
3.
A novel measuring method of thermal resistance for high power LED;
一种高功率LED热阻的测试方法
4) heat resistance
热阻
1.
Research on the forecast of heat resistance and moisture resistance of fabrics;
织物热阻和湿阻的预测研究
2.
Experimental study on heat resistance under variational double glazing air layer thickness;
双层玻璃空气层厚度变化对热阻影响的实验研究
3.
It shows the value of clo can only suit to evaluate the insulating ability of the apparel to the noticeable heat fluid, and the value of clo obtained from the heat resistance of fabrics doesn't accord with the original definition.
分析了clo值的定义,指出了clo值只适合于评价服装对显热流的隔热作用、由热阻折算得到的织物clo值已不符合原定义。
5) Thermal resistor
热阻
1.
The measurement method of thermal resistor for power LED based on electrical parameters measurment is analyzed.
分析了功率发光二极管(LED)基于电学测量的热阻的测量方法,介绍了采用高性能数据采集卡构建了新型的功率LED热特性自动测量分析系统,实现对功率LED结温和热阻的精确、简便的测量。
2.
Traditionally the steady thermal performance of packaged semiconductor device has been characterized with a single junction-to-case thermal resistor.
在传统单芯片封装热阻定义的基础上,针对多芯片组件(MCM)传统热阻表示方法的不足,基于线性叠加原理,采用有限元模拟技术,提出了MCM的结到壳的热阻表示方法——热阻矩阵,并利用有限元模拟方法对热阻矩阵进行了验证。
6) interface thermal resistance
界面热阻
1.
This paper introduces the main steps of the emulation of low-temperature interface thermal resistance between Al and Al with the method of non-equilibrium molecular dynamics, makes comparison of and analysis on the emulating results and experimental results, and points out the reasons of the errors.
介绍了用非平衡态分子动力学对低温Al与Al之间界面热阻仿真的主要步骤,并对仿真结果与实验结果进行了比较分析,指出了出现误差的原因。
2.
It is found that the thermal conductivity and the proportion of interface thermal resistance to total thermal resistance have no relation with the number of periods for the superlattice structure with a fixed period length.
模拟结果显示 ,周期长度固定的超晶格薄膜 ,界面热阻在总热阻中的比例和导热系数同周期数无关 ;当超晶格薄膜的膜厚不变时 ,导热系数将随着周期长度的增大而增大 ,但由于超晶格薄膜晶格常数的不匹配 ,使其内部发生明显的几何形变 ,这种变化关系也愈加复杂 ,同时周期长度的增加 ,平均界面热阻也随着增大 ,揭示了界面热阻不仅取决于界面层的物理条件 ,而且也与构成的介质内部形变有着重要关
3.
The interface thermal resistance was the basic science problem in the fields of cryogenics,aerospace,superconducting and microelectronic technology etc.
固体界面热阻是航空航天、低温与超导、微电子技术等领域中研究热点问题,氮化铝陶瓷和金属铜被广泛应用于低温超导装置和集成电路芯片。
参考词条
补充资料：传热学：热阻
热阻：
反映阻止热量传递的能力的综合参量。在传热学的工程应用中﹐为了满足生產工艺的要求﹐有时通过减小热阻以加强传热﹔而有时则通过增大热阻以抑制热量的传递。
当热量在物体内部以热传导的方式传递时﹐遇到的热阻称为导热热阻。对於热流经过的截面积不变的平板﹐导热热阻为L /(A )。其中L 为平板的厚度﹐A 为平板垂直於热流方向的截面积﹐为平板材料的热导率。
在对流换热过程中﹐固体壁面与流体之间的热阻称为对流换热热阻﹐1/(A )。其中为对流换热係数﹐A 为换热面积。两个温度不同的物体相互辐射换热时的热阻称为辐射热阻。如果两个物体都是黑体(见黑体和灰体)﹐且忽略两物体间的气体对热量的吸收﹐则辐射热阻为1/(A 1F 1-2)或1/(A 2F 2-1)。其中A 1和A 2为两个物体相互辐射的表面积﹐F 1-2和F 2-1为辐射角係数。
当热量流过两个相接触的固体的交界面时﹐界面本身对热流呈现出明显的热阻﹐称为接触热阻。產生接触热阻的主要原因是﹐任何外表上看来接触良好的两物体﹐直接接触的实际面积只是交界面的一部分(见图 接触热阻示意图
)﹐其餘部分都是缝隙。热量依靠缝隙内气体的热传导和热辐射进行传递﹐而它们的传热能力远不及一般的固体材料。接触热阻使热流流过交界面时﹐沿热流方向温度 T 发生突然下降﹐这是工程应用中需要儘量避免的现象。减小接触热阻的措施是﹕增加两物体接触面的压力﹐使物体交界面上的突出部分变形﹐从而减小缝隙增大接触面。在两物体交界面处涂上有较高导热能力的胶状物体──导热脂。
反映阻止热量传递的能力的综合参量。在传热学的工程应用中﹐为了满足生產工艺的要求﹐有时通过减小热阻以加强传热﹔而有时则通过增大热阻以抑制热量的传递。
当热量在物体内部以热传导的方式传递时﹐遇到的热阻称为导热热阻。对於热流经过的截面积不变的平板﹐导热热阻为L /(A )。其中L 为平板的厚度﹐A 为平板垂直於热流方向的截面积﹐为平板材料的热导率。
在对流换热过程中﹐固体壁面与流体之间的热阻称为对流换热热阻﹐1/(A )。其中为对流换热係数﹐A 为换热面积。两个温度不同的物体相互辐射换热时的热阻称为辐射热阻。如果两个物体都是黑体(见黑体和灰体)﹐且忽略两物体间的气体对热量的吸收﹐则辐射热阻为1/(A 1F 1-2)或1/(A 2F 2-1)。其中A 1和A 2为两个物体相互辐射的表面积﹐F 1-2和F 2-1为辐射角係数。
当热量流过两个相接触的固体的交界面时﹐界面本身对热流呈现出明显的热阻﹐称为接触热阻。產生接触热阻的主要原因是﹐任何外表上看来接触良好的两物体﹐直接接触的实际面积只是交界面的一部分(见图 接触热阻示意图
)﹐其餘部分都是缝隙。热量依靠缝隙内气体的热传导和热辐射进行传递﹐而它们的传热能力远不及一般的固体材料。接触热阻使热流流过交界面时﹐沿热流方向温度 T 发生突然下降﹐这是工程应用中需要儘量避免的现象。减小接触热阻的措施是﹕增加两物体接触面的压力﹐使物体交界面上的突出部分变形﹐从而减小缝隙增大接触面。在两物体交界面处涂上有较高导热能力的胶状物体──导热脂。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。