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1) nanojunction
纳米隧道结
1.
The capacitance of a nanojunction fromed by a scanning tunneling microscope (STM) tip and a two-dimensional gold cluster was measured through single electron tunneling spectroscopy of a double-barrier tunnel junction.
利用STM针尖和二维Au纳米团簇构造的双隧道结 ,通过对单电子隧穿谱的测量 ,研究了纳米隧道结的电容随隧道结宽度的变化 ,发现电容随结宽度的变化偏离了经典电容的行为 ,为纳米隧道结的量子电容效应提供了实验证据 。
2) tunneling nanotubes
隧道纳米管
1.
Recently,one kind of brand-new mode of direct cell-to-cell communications which were characterized as threadlike membranous channels,termed tunneling nanotubes (TNTs),was discovered in mammalian cells.
最近在哺乳动物细胞间发现了一种新型的细胞间通讯连接方式,根据其形态及结构特征,这种细长的膜管被命名为隧道纳米管(tunneling nanotubes,TNTs)。
3) Crystalline nanoporous material
纳米孔道结构
4) tunnel junctions
隧道结
1.
Tunnel magnetic resistance in ferromagnetic/semiconductor/ferromagnetic tunnel junctions;
铁磁/半导体/铁磁隧道结中的隧穿磁电阻
2.
This article describes the main growth methods of MgB_2 thin/thick films since the superconductivi- ty of MgB_2 had been discovered,including the comparisons of substrates and annealing processes,and summarizes the research progress of fabricating MgB_2 tunnel junctions briefly.
介绍了自 MgB_2超导电性被发现以来,用于制备 MgB_2薄膜/厚膜的各种基片、主要生长方法以及退火工艺,简单概述了薄膜制作超导隧道结方面的研究状况。
3.
A trapezoidal barrier potential was used to model Al Al 2O 3 ferromagnetic metal (Fe, Co, Ni and Ni 80 Fe 20 ) biased tunnel junctions.
用梯形势垒模型计算偏置Al Al2 O3 铁磁金属 (Fe ,Co ,Ni和Ni80 Fe2 0 )隧道结的I V曲线 ,通过与结在 77K温度下的实验I V曲线拟合决定了结的势垒参数 。
5) Tunnel junction
隧道结
1.
Metal organic chemical vapor deposition growth and structure design of tunnel junction of GaInP_2/GaAs/Ge tandem solar cells;
GaInP_2/GaAs/Ge级联电池隧道结的结构设计及金属有机化学汽相淀积生长研究
2.
Effects of surface roughness in the Al-Al_2O_3-Ni tunnel junctions;
Al-Al_2O_3-Ni隧道结中的表面粗糙度效应
3.
Study of Spin Transport in Tunnel Junctions with Multiferroic Barriers
多铁垒隧道结的自旋输运
6) tunneling junction
隧道结
1.
Fabrication and properties of nano metric tunneling junction;
纳米隧道结的制备和特性研究
2.
Taking into account the spin polarized and interface roughness scattering effect, within scattering formalism, we calculate the shot noise in the ferromagnet superconductor tunneling junction.
考虑到铁磁层中的自旋极化效应与粗糙界面散射效应 ,利用散射理论 ,讨论铁磁 超导隧道结中的散粒噪声 。
3.
For studying the effects of in-between layers on the transport properties of tunneling junctions, we prepared a series of Co/Al_2O_3/FeNi tunneling junction with different thickness of Al_2O_3,and studied their transport properties at 77?K.
制备了不同Al2O3厚度的Co/Al2O3/FeNi隧道结,并在77K温度下测量了其输运特性。
补充资料：看纺织印染中应用纳米材料和纳米技术
纺织印染中应用纳米材料和纳米技术时，除了要解决纳米材料的制备技术之外，重要的是要解决好纳米材料的应用技术，其中关键问题是使纳米粒子和纺织印染材料的基本成分（即聚合物材料）之间处于适当的结合状态。印染中，纳米粒子在聚合物基体中的分散和纳米粒子在聚合物表面的结合是主要的应用技术问题。 制备聚合物/无机纳米复合材料的直接分散法，适用于各种形态的纳米粒子。印染中纳米粒子的使用一般采用直接分散法。但是由于纳米粒子存在很大的界面自由能，粒子极易自发团聚，利用常规的共混方法不能消除无机纳米粒子与聚合物基体之间的高界面能差。因此，要将无机纳米粒子直接分散于有机基质中制备聚合物纳米复合材料，必须通过必要的化学预分散和物理机械分散打开纳米粒子团聚体，将其均匀分散到聚合物基体材料中并与基体材料有良好的亲和性。直接分散法可通过以下途径完成分散和复合过程： 高分子溶液（或乳液）共混：首先将聚合物基体溶解于适当的溶剂中制成溶液（或乳液），然后加入无机纳米粒子，利用超声波分散或其他方法将纳米粒子均匀分散在溶液（或乳液）中。有人将环氧树脂溶于丙酮后加入经偶联剂处理过的纳米TiO2，搅拌均匀，再加入 40wt%的聚酰胺后固化制得了环氧树脂/TiO2纳米复合材料。还有人将纳米SiO2粒子用硅烷偶联剂处理后，改性不饱和聚酯。 熔融共混：将纳米无机粒子与聚合物基体在密炼机、双螺杆等混炼机械上熔融共混。如将PMMA和纳米SiO2粒子熔融共混后，双螺杆造粒制得纳米复合材料。又如利用偶联剂超声作用下处理纳米载银无机抗菌剂粒子，分散制得PP/抗菌剂、PET/抗菌剂、PA/抗菌剂等复合树脂，然后经熔融纺丝工艺加工成抗菌纤维。研究表明，将经过表面处理的纳米抗菌剂粒子通过双螺杆挤出机熔融混炼，在聚合物中可以达到纳米尺度分散，获得了具有良好综合性能的纳米抗菌纤维，对大肠杆菌、金黄色葡萄球菌的抗菌率达到95%以上（美国AATCC－100标准）。 机械共混：将偶联剂稀释后与碳纳米管混合，再与超高分子量聚乙烯（UHMWPE）混合放入三头研磨机中研磨两小时以上。将研磨混合物放入模具，热压，制得功能型纳米复合材料。 聚合法：利用纳米SiO2粒子填充（Poly（HEMA））制备了纳米复合材料。纳米SiO2粒子首先被羟乙基甲基丙烯酸（HEMA）功能化，然后与HEMA单体在悬浮体系中聚合。还有利用SiO2胶体表面带酸性，加入碱性单体4－乙烯基吡咯进行自由基聚合制得包覆型纳米复合材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条
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