1) MIM Tunneling Junction
MIM隧道结
2) MIM and MIS junctions
MIM及MIS隧道结
3) MIM tunnel diode
MIM隧道二极管
1.
This paper reports the light emission from MIM tunnel diode and Negative Differential Resistance (NDR) in its I-V characteristic curve.
本文报道了MIM隧道二极管的发光和负阻现象,用梯形势垒计算了电流-电压特性。
5) MIM structure
MIM结构
1.
Studied the Passive Intermodulation (PIM) of MIM structure of waveguide junction in antenna systems.
本文对天线系统中波导连接形成的MIM结构所产生的无源互调(PassiveIntermodulation,简称PIM)进行了理论分析模拟。
6) tunnel junctions
隧道结
1.
Tunnel magnetic resistance in ferromagnetic/semiconductor/ferromagnetic tunnel junctions;
铁磁/半导体/铁磁隧道结中的隧穿磁电阻
2.
This article describes the main growth methods of MgB_2 thin/thick films since the superconductivi- ty of MgB_2 had been discovered,including the comparisons of substrates and annealing processes,and summarizes the research progress of fabricating MgB_2 tunnel junctions briefly.
介绍了自 MgB_2超导电性被发现以来,用于制备 MgB_2薄膜/厚膜的各种基片、主要生长方法以及退火工艺,简单概述了薄膜制作超导隧道结方面的研究状况。
3.
A trapezoidal barrier potential was used to model Al Al 2O 3 ferromagnetic metal (Fe, Co, Ni and Ni 80 Fe 20 ) biased tunnel junctions.
用梯形势垒模型计算偏置Al Al2 O3 铁磁金属 (Fe ,Co ,Ni和Ni80 Fe2 0 )隧道结的I V曲线 ,通过与结在 77K温度下的实验I V曲线拟合决定了结的势垒参数 。
补充资料：`S_1-I-S_2`隧道结（$S_1-I-S_2$tunneljunction）
`S_1-I-S_2`隧道结（$S_1-I-S_2$tunneljunction）
是指两种不同超导体S1和S2间夹有绝缘介质层I的隧道结，其I-V特性曲线如图。
由于S1和S2不同，Δ1(T)和Δ2(T)也不等。图中Vmax=|Δ2-Δ1|/e，Vmax=(Δ1 Δ2)/e，在这两者之间是负阻区，而V≥Vmax时，隧道电流迅速上升并接近N-I-N的情景。由负电阻特性和电流的极大和极小可测定Δ1和Δ2。但在T=0K时，因没有热激发准粒子，所以只有当V≥(Δ1 Δ1)/e时才发生准粒子隧道效应。对S-I-S隧道结，Δ1=Δ2，其单电子隧道效应的I-V特性曲线类同于S-I-N的I-V曲线形状。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条