1)  SiGe
SiGe
1.
The Development and Prospects of SiGe Thermoelectric Materials;
SiGe热电材料的发展与展望
2.
Correlation between Serum sIgE and the Reaction in Skin Test of Blattella Germanica allergen;
德国小蠊变应原皮内试验与血清sIgE检测的相关性
3.
Detection of Periplaneta americana sIgE with Chemiluminescent Immunoassay(CLIA);
化学发光免疫法检测美洲大蠊sIgE水平的研究
2)  SiGe HBT
SiGe HBT
1.
Measurement and analysis of annealing factor and typical dc electronic parameters for SiGe HBT irradiated by neutrons and gamma rays in a pulsed reactor;
反应堆脉冲中子和γ射线辐照SiGe HBT器件的退火因子及典型直流参数测量分析
2.
Influence of Heterojunction Position on SiGe HBTs with Graded BC Junctions;
异质结位置对缓变集电结SiGe HBT性能的影响(英文)
3.
Optimized Compact Model and Parameter Extraction Method for SiGe HBT;
一种优化的SiGe HBT集约模型及参数提取方法
3)  SiGe HBT
SiGe/SiHBT
4)  SiGe BiCMOS
SiGe BiCMOS
1.
A High Purity Integer-N Frequency Synthesizer in 0.35μm SiGe BiCMOS;
基于0.35μm SiGe BiCMOS的高纯度频率综合器(英文)
2.
Design of a 2.5GHz Low Phase-Noise LC-VCO in 0.35μm SiGe BiCMOS;
基于0.35μm SiGe BiCMOS的2.5GHz低相位噪声LC压控振荡器的设计(英文)
3.
Research of SiGe BiCMOS High-speed A/D Converter;
SiGe BiCMOS高速模数转换研究
5)  Si/SiGe
Si/SiGe
1.
Waveguide Simulation of a THz Si/SiGe Quantum Cascade Laser;
太赫兹Si/SiGe量子级联激光器波导模拟(英文)
2.
Energy Band Design for a Terahertz Si/SiGe Quantum Cascade Laser;
太赫兹Si/SiGe量子级联激光器的能带设计
6)  SiGe-HBT
SiGe-HBT
1.
Compared with Si-BJT and Si-FET(IC s),SiGe-HBT and SiGe-FET(IC s) have excellent characteristics in frequency and speed improvement.
从Si-BJT和Si-FET集成电路在提高频率、速度上的困难,到SiGe-HBT和SiGe-FET及其集成电路的优异特性,论述了SiGe半导体在Si基微电子技术发展中的重要作用;特别强调了应变增强载流子迁移率—应变工程技术的重要作用。
参考词条
补充资料:BiCMOS集成电路

[英文]:BiCMOS integrated circuit
[解释]:
    由双极型门电路和互补金属-氧化物-半导体(CMOS)门电路构成的集成电路。特点是将双极(Bipolar)工艺和CMOS工艺兼容,在同一芯片上以一定的电路形式将双极型电路和CMOS电路集成在一起 ,兼有高密度   、低功耗和高速大驱动能力等特点 。高性能BiCMOS电路于20世纪80年代初提出并实现,主要应用在高速静态存储器、高速门阵列以及其他高速数字电路中,还可以制造出性能优良的模/数混合电路,用于系统集成。有人预言,BiCMOS集成电路是继CMOS集成电路形式之后最现实的下一代高速集成电路形式。
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