1)  SiGe-FET
SiGe-FET
1.
Compared with Si-BJT and Si-FET(IC s),SiGe-HBT and SiGe-FET(IC s) have excellent characteristics in frequency and speed improvement.
从Si-BJT和Si-FET集成电路在提高频率、速度上的困难,到SiGe-HBT和SiGe-FET及其集成电路的优异特性,论述了SiGe半导体在Si基微电子技术发展中的重要作用;特别强调了应变增强载流子迁移率—应变工程技术的重要作用。
2)  Si
Si
1.
DCXRD Investigation of a Ge/Si(001) Island Multilayer Structure;
DCXRD分析Ge/Si(001)多层纳米岛材料(英文)
2.
ICP-AES Determination of Mn,Si,Al,Ti,Nb,La in Ultrahigh Strength Steel;
ICP-AES法测定超高强度钢中Mn,Si,Al,Ti,Nb,La杂质元素
3.
Effects of Trace Si,Ba and Sn on the As-cast Microstructure of AZ91 Magnesium Alloy;
微量Si、Ba、Sn对AZ91铸态组织的影响
3)  Silicon
Si
1.
Mechanism of effect of nutrient silicon and water temperature on phytoplankton;
营养盐Si和水温影响浮游植物的机制
2.
Silicon, aluminium and other, a total of 10 elements in different kinds of biological samples, were measured by ICP-AES.
探讨不同种类生物样品中Si和Al等10种元素的测定方法,采用干灰化结合偏硼酸锂碱熔灰分的前处理方法,用电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)同时测定试样中Si和Al以及Ca,Mg,Fe,Na,P,Mn,Sr,Ti。
3.
This suggests that sodium attack of both aluminium and Al-12%Si alloy is the result of a reaction between sodium and the silicon contained in the aluminium.
本文研究了纯Al及Al－12％Si合金在液态Na中的腐蚀特性。
4)  Si)
Si）
5)  a-Si
a-Si
1.
Inner circuit and noise equivalent temperature difference (NETD) of the a-Si FPA were analyzed and the equation of NETD was deduced at length.
本文根据对a-Si微测辐射热计焦平面内部的微观电路结构和噪声等效温差(noise equivalent temperature difference,NETD)的分析,经过详细地推导NETD公式,认为可调节两个偏置电压,使焦平面可以在较低的温度下稳定工作。
2.
In this dissertation，preparation and thermoelectric characterization of conventional silicon-based materials and devices have been studied, including amorphous silicon (a-Si) films, polycrystalline silicon germanium (polySiGe) films and amorphous silicon thin-film-transistors (a-Si TFT).
本文深入系统地研究了a-Si薄膜、polySiGe薄膜和a-Si TFT等三种常规硅基材料和器件的制备方法和热电特性，开发了一套新型的基于多孔硅牺牲层技术的MEMS-IC集成工艺，利用该工艺成功地制作了a-Si和polySiGe薄膜电阻式测辐射热计，在国际上首次提出并实现了基于a-Si TFT的室温红外探测器单元与8×8阵列原型，器件初步具备了室温红外热成像的能力。
6)  Si/Si
Si/Si
参考词条
补充资料：场效应晶体管（fieldeffecttransistor(FET)）
场效应晶体管（fieldeffecttransistor(FET)）

场效应晶体管（FET）是利用输入电压的电场作用控制输出电流的一种半导体器件。与双极晶体管相比，FET有很多优点，主要是：FET是依靠多数载流子工作的器件，所以又称单极晶体管，它没有少子存储效应，适于高频和高速工作，且耐辐射性好；FET的输入阻抗高，实际上不需输入电流，所以在模拟开关电路、高输入阻抗放大器、微波放大器中获得广泛的应用；FET的制造工艺相对比较简单。场效应晶体管可分为结型场效应管（JFET）、肖特基势垒栅场效应管（MESFET）和绝缘栅场效应管（MOSFET）三大类。而JFET和MOSFET又可再分为p沟道和n沟道器件。三类场效应管都有一个半导体材料的沟道（电流通路），沟道两端各有一个电极：一个叫做源极，一个叫做漏极。各种场效应管都有一个施加控制电压或电场的栅极。在FET工作时，栅极电压的变化会引起导电沟道电性能变化，从而控制了源和漏之间的电流。场效应管由于输入阻抗大，噪音小，极限频率高抗辐射能力强和制造工艺简单，它已广泛应用于包括放大及数字电路在内的各种电路中。FET也是集成电路的关键元件之一。

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