1) TiO_2/V_2O_5 double-layer thin film
TiO_2/V_2O_5双层薄膜
1.
TMA gas sensing properties of TiO_2/V_2O_5 double-layer thin films;
TiO_2/V_2O_5双层薄膜的TMA气敏特性研究
2) TiO2-V2O5 composite films
TiO_2-V_2O_5复合膜
3) V_2O_5 thin film
V_2O_5薄膜
1.
Using non-alkoxide V_2O_5 as precursors, benzyl alcohol and iso-butanol as solvents, V_2O_5 thin films were prepared by the sol-gel technique.
以V_2O_5为原料，苯甲醇、异丁醇为溶剂，采用溶胶—凝胶（Sol-Gel）工艺制备了V_2O_5薄膜。
2.
So, it is important to study the preparations, properties and application of V_2O_5 thin films.
因此，研究V_2O_5薄膜材料的制备、结构和性能及其在各个领域中的应用具有重要意义。
4) V_2O_5 thin films
V_2O_5薄膜
1.
The pure VO_2 thin films and V_2O_5 thin films which undergone difference techniques and annealing processes were fabricated on glass substrates by the method of inorganic SOL-GEL from V_2O_5 powder,and the best preparing process was chosed,the preparing process on Si substrates was also researched,and we got the better method to prepare the VO_2 pure films.
本文以市售分析纯V_2O_5为原料,采用无机溶胶—凝胶的方法,用不同工艺退火处理在玻璃衬底上成功的制备出了单相V_2O_5薄膜和单相VO_2薄膜,并筛选出了最佳的单相薄膜制备工艺;同时探索了在单晶硅衬底上的VO_2薄膜制备方法。
5) β-V_2O_5 film
β-V_2O_5薄膜
1.
Therefore,V_2O_5 is akind of important new energy materials and it is significant to study the preparation,structure and properties of V_2O_5In this thesis,α-V_2O_5 andβ-V_2O_5 films were prepared using sputtering,VOxwith various morphologies were formed by thermal evaporation chemical vapordeposition (CVD)and VOx-NTs were synthesized through hydrothermal treatment.
本论文通过磁控反应溅射法制备了α-V_2O_5和β-V_2O_5薄膜，利用热蒸发化学气相沉积获得了形貌多样的V_2O_5纳米材料，采用水热法得到了VO_x纳米管(VOx-NTs)，并使用各种表征手段研究了V_2O_5薄膜与纳米材料的形貌、结构与形成机理。
6) ZnO/TiO_2 multi-layer-film
ZnO/TiO_2多层薄膜
1.
In this paper, we introduce the preparation of ZnO/TiO_2 multi-layer-film by S-G method, and study its gas-sensing optical property.
本文介绍了用S—G法制备了ZnO/TiO_2多层薄膜的方法,并研究了其在几种还原性气体中的气敏透射光谱,发现其对氨气具有优良的选择性,且其光学透过率在一定浓度范围内随氨蒸汽浓度增加而显著地单调上升,敏感波段扩展到整个可见光区域。
补充资料：CaO-TiO2-SiO2 ceramics
分子式：
CAS号：
性质：在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存，性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅，加入少量改性添加剂，经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品，也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙，用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等，以确保两晶相共存。主要介电性能为：介电常数80～110，介质损耗角正切值(0.8～2.5)×10-4，介电常数温度系数(-450～+550)×10-6/℃。抗电温度(45～55)kV/mm，电阻率(1011～1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
CAS号：
性质：在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存，性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅，加入少量改性添加剂，经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品，也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙，用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等，以确保两晶相共存。主要介电性能为：介电常数80～110，介质损耗角正切值(0.8～2.5)×10-4，介电常数温度系数(-450～+550)×10-6/℃。抗电温度(45～55)kV/mm，电阻率(1011～1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条