1) gate-drain capacitance
栅漏电容
1.
A buried-oxide trench-gate bipolar-mode JFET(BTB-JFET)with an oxide layer buried under the gate region to reduce the gate-drain capacitance Cgd is proposed.
提出了埋氧沟槽栅双极模式JFET(BTB-JFET),其在栅极区域下面添加埋氧以减小栅漏电容Cgd。
2.
It is shown that neglecting the gate-drain capacitance of the MOSFET would lead to an overestimation of the optimum device width in the CMOS source degenerated LNA.
本文证明了在CMOS源端degeneration结构的低噪声放大器中，忽略场效应管的栅漏电容将造成对放大管的最优栅宽估计过大。
3.
Simulation results show that the gate-drain capacitance CGD of normally-on BTB-JFET has an improvement up to 25% than that of TB-JFET at zero source-drain bias.
仿真中借鉴现有的高性能T-MOSFET的结构尺寸,并采用了感性负载电路对器件进行静态以及混合模式的电特性仿真,结果表明,常开型BTB-JFET与TB-JFET相比,零偏压时栅漏电容CGD减小25%;当工作频率为1MHz和2MHz时常开型TB-JFET与T-MOSFET相比总功耗分别降低了14%和19%,而常开型BTB-JFET较TB-JFET的总功耗又进一步降低了6%。
2) body drain-gate capacitor
漏栅电容
3) grid lerk condenser
栅漏电容器
4) grid leak capacitor detector
栅漏电容检波器
5) drain-to-gate voltage
栅漏电压
6) gate-drain charge
栅-漏电荷
补充资料：等容热容
分子式：
CAS号：
性质：系统在体积不能改变的条件下温度升高1K所需的热，符号Cv。此时系统所吸取的热完全用来增加其内能。因为等容过程中系统吸热Qv=△U，所以Cv就是系统升高1K时其内能的变化。用数学式表示，为 Cv=其中代表偏微分，下脚V表示体积不变。关于Cv与Cp关系参见等压热容。
CAS号：
性质：系统在体积不能改变的条件下温度升高1K所需的热，符号Cv。此时系统所吸取的热完全用来增加其内能。因为等容过程中系统吸热Qv=△U，所以Cv就是系统升高1K时其内能的变化。用数学式表示，为 Cv=其中代表偏微分，下脚V表示体积不变。关于Cv与Cp关系参见等压热容。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条