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1)  Photoresist@P1ashing technique
光刻胶灰化工艺
2)  photoresist ashing
光刻胶灰化
1.
In addition to the general process, the photoresist ashing technique is developed for achieving good quality gratings.
本文引入反应离子刻蚀进行光刻胶灰化处理新技术 ,成功地制作了每毫米 1 2 0 0线、闪耀波长为 1 30nm的锯齿槽形光栅 。
3)  multilayer photoresist technology
三层光刻胶工艺
4)  photoetching technology
光刻工艺
1.
In this passage,the steady photoetching technology of BP-212 positive photoresist is researched.
本文分别以玻璃片和AAO模板为基底,使用BP-212型紫外正性光刻胶,进行光刻工艺条件的研究,找到了在本实验条件下的稳定光刻工艺。
5)  Lithographic process
光刻工艺
1.
A method of simulating and optimizing lithographic process parameters is proposed based on the concept of effective time difference.
通过引入有效时差的概念 ,提出了一种可模拟光刻工艺参数间的相互关系及优化光刻参数的方法。
6)  photolithography [英][,fəutəli'θɔgrəfi]  [美][,fotolɪ'θɑgrəfɪ]
光刻工艺
1.
In the process of image transfer printing in photolithography technology, It is key link to determine the location of the image plane.
在光刻工艺的图形转印过程中,像平面位置的确定是重要的环节。
补充资料:双叠氮-环化橡胶光刻胶
分子式:
CAS号:

性质:指用双叠氮化合物与经环化后的橡胶(如环化天然橡胶、环化聚异戊二烯橡胶)组成的混合体系,作为光刻胶使用。双叠氮化合物是光敏交联剂,光照下体系发生如下反应:从而聚合物分子间交联。该类型的光刻胶一般为环化橡胶的甲苯溶液,浓度为8%~10%。光敏交联剂加人量为环化橡胶的10%以下,增感剂可以用二苯甲酮或蒽酮等,加入量为5%左右。

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参考词条