1) born-doped a-Si:H films
掺硼非晶硅薄膜
2) P-doped a-Si:H thin films
掺磷非晶硅薄膜
3) a-Si:H film
掺氢非晶硅薄膜
4) boron doped a-Si resistor
掺硼非晶硅电阻
5) boron-doped a-Si:H
掺硼非晶氢化硅
6) boron-doped amorphous silicon
硼掺杂非晶硅
补充资料:稀土-铁族金属非晶薄膜磁光材料
分子式:
CAS号:
性质:用稀土和铁族金属制成的薄膜磁光材料其组成、电和磁性能及单轴各向异性受沉积条件及靶材成分影响。非晶态霍耳电压(VH)与磁场关系和极向克尔磁带回线相似,在补偿温度(Tcomp)附近,霍尔系数R1改变符号,当T<Tcomp时,R1为负,相反为正。其制备方法为高频溅射、真空蒸发、磁控溅射等。
CAS号:
性质:用稀土和铁族金属制成的薄膜磁光材料其组成、电和磁性能及单轴各向异性受沉积条件及靶材成分影响。非晶态霍耳电压(VH)与磁场关系和极向克尔磁带回线相似,在补偿温度(Tcomp)附近,霍尔系数R1改变符号,当T<Tcomp时,R1为负,相反为正。其制备方法为高频溅射、真空蒸发、磁控溅射等。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条