1) fast atom beam etching
快速原子束刻蚀
1.
A new microfabrication method--electron beam scanning exposure and fast atom beam etching--to fabricate sub wavelength gratings is described.
描述了一种新的亚波长光栅的微细加工技术 ,即电子束 (EB)扫描曝光得到相应的亚微米级的线宽图形 ,再利用快速原子束刻蚀设备获得了高深宽比的立体结构。
2) atom-lithography
原子刻蚀
3) ion beam etching
离子束刻蚀
1.
Influence of fabrication error in ion beam etching on diffractive optical element;
离子束刻蚀工艺误差对DOE器件的影响
2.
Fresnel lens fabricated by ion beam etching;
离子束刻蚀法制作菲涅耳透镜
3.
An Ion beam etching facility,model KZ-400 has been successfully designed and constructed to fabricate large-aperture(400 mm×400 mm) optical diffraction components.
日前我室为制作大口径(400 mm×400 mm)衍射光学元件需要,成功研制了一台KZ-400离子束刻蚀装置。
4) ion-beam etching
离子束刻蚀
1.
The influence of quadratic effect of ion-beam etching on pattern profile and the influence of ion-beam etching incidence angle on slope of pattern sidewall are studied.
介绍了离子束刻蚀的二次效应对图形轮廓以及离子束刻蚀入射角对图形侧壁陡度的影响。
2.
Soft X-ray Ge and Ni condenser phase zone plates are fabricated by ion-beam etching technology on polyimide substrate and contact synchrotron radiation lithography with the mask.
以激光全息离子束刻蚀技术制作金的振幅型软X射线聚焦波带片,以此为掩模,利用接触式同步辐射光刻和离子束刻蚀技术在聚酰亚胺衬底上,分别制作出了镍和锗的软X射线相位型聚焦波带片。
3.
The meanings of ion-beam etching for the fabrication of phase mask are discussed, and the progress of the research on ion-beam etching are introduced.
本文围绕光纤光栅相位掩模的特点和制作展开了理论和实验研究,主要包含了以下几方面的内容: 首先介绍了研究光纤光栅相位掩模的意义和国内外光纤光栅相位掩模的研究进展,并且讨论了离子束刻蚀对于掩模制作的重要意义,介绍了离子束刻蚀的国内外研究现况。
5) electron beam lithography
电子束刻蚀
6) ion etching
离子束刻蚀
1.
The system is analysed and evaluated with optical software ZEMAX, theoretical formulas are then established, and a binary optical lens is manufactured by ion etching.
通过光学设计软件ZEMAX对具体实例进行分析和评估,并利用离子束刻蚀法制作了二元光学透镜系统,展示了二元光学透镜在超光谱成像仪中的应用前景。
补充资料：离子束刻蚀（ion-beametching）
离子束刻蚀（ion-beametching）
离子束刻蚀，也称为离子铣，它的主要原理是当定向高能离子向固体靶撞击时，能量从入射离子转移到固体表面原子上，如果固体表面原子间结合能低于入射离子能量时，固体表面原子就会被移开或从表面上被除掉。通常离子束刻蚀所用的离子来自惰性气体。为了保证刻蚀的均匀性，离子束密度必须均匀并且应具有相同能量。此外，系统内的压力必须足够低，以防止离子束被散射。离子束刻蚀的机构决定了这种刻蚀有好的各向异性，又因为粒子尺寸是离子或原子量级的，因而这种刻蚀也具有较高的分辨率。这种技术的主要限制是刻蚀过程引起温升，这将使光刻胶很难除掉。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条