1) H atoms etching
氢原子刻蚀
2) atom-lithography
原子刻蚀
3) fast atom beam etching
快速原子束刻蚀
1.
A new microfabrication method--electron beam scanning exposure and fast atom beam etching--to fabricate sub wavelength gratings is described.
描述了一种新的亚波长光栅的微细加工技术 ,即电子束 (EB)扫描曝光得到相应的亚微米级的线宽图形 ,再利用快速原子束刻蚀设备获得了高深宽比的立体结构。
4) etchplain
刻蚀平原
5) HF etching
氢氟酸刻蚀
1.
The interface was fabricated by using HF etching on a 50 μm i.
对普通石英毛细管表面使用氢氟酸刻蚀技术进行刻蚀,并与商品化鞘流液毛细管电泳-质谱接口(Sheathflow CE-MS interface)结合,将其改装成一种新型的纳升级电喷雾质谱接口。
6) hydrofluoric acid etch
氢氟酸蚀刻
补充资料：电化学刻蚀
分子式：
CAS号：
性质：也称电解浸蚀。在一定的电解液中，采用电化学原理选择性地除去某种金属(或半导体)的过程。可外加电压(为电刷镀的逆过程)或不外加电压(化学刻蚀)。影响电化学蚀刻的因素有电场强度和频率、探测器厚度、蚀刻液浓度和径迹倾角等。化学刻蚀法使用较多，例如在印刷电路板的制作中，通过如下反应：Cu→Cu2++2e-(阳极) ；2Fe3++2e-→2Fe2+(阴极)。按预作保护的图样除去绝缘基板上的铜覆盖层。在微电子装置的制作中，对半导体(如硅)选择性地刻蚀是关键步骤。常用的刻蚀剂有CuCl2，FeCl3，H2CrO4，NH4Cl，H2O2-H2SO4等。
CAS号：
性质：也称电解浸蚀。在一定的电解液中，采用电化学原理选择性地除去某种金属(或半导体)的过程。可外加电压(为电刷镀的逆过程)或不外加电压(化学刻蚀)。影响电化学蚀刻的因素有电场强度和频率、探测器厚度、蚀刻液浓度和径迹倾角等。化学刻蚀法使用较多，例如在印刷电路板的制作中，通过如下反应：Cu→Cu2++2e-(阳极) ；2Fe3++2e-→2Fe2+(阴极)。按预作保护的图样除去绝缘基板上的铜覆盖层。在微电子装置的制作中，对半导体(如硅)选择性地刻蚀是关键步骤。常用的刻蚀剂有CuCl2，FeCl3，H2CrO4，NH4Cl，H2O2-H2SO4等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条