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1)  series CMOS devies
4000系列CMOS器件
2)  ADAM-4000 modules
ADAM-4000系列模块
3)  CMOS devices
CMOS器件
1.
This paper presents the string elements for Single Event Latchup,and discusses the major characters and test method for Single Event Latchup of CMOS devices.
介绍了单粒子锁定现象的触发原理,探讨了针对典型CMOS器件SEL现象的主要特征和测试方法,并开展了几种CMOS器件的单粒子锁定试验研究。
2.
The partially depleted SOI CMOS devices and circuits with channel length of 0.
8μm部分耗尽绝缘体上硅(PDSOI)CMOS器件和电路,开发出成套的0。
3.
12μm gate length CMOS devices are fabricated.
在此基础上 ,采用Si3 N4/SiO2 stack栅介质制备出性能优良的栅长为 0 12 μm的CMOS器件 ,器件很好地抑制了短沟道效应 。
4)  CMOS device
CMOS器件
1.
Comparison on effects of CMOS devices irradiated by gamma and X ray;
CMOS器件X射线与γ射线辐照效应比较
2.
Deep sub-micron CMOS device modeling and BSIM models;
深亚微米CMOS器件建模与BSIM模型
3.
In studying latchup window phenomena in bulk-Si CMOS devices,a new method for prevention of latchup has been discovered,which is called pseudo-latchup path method.
在研究体硅CMOS器件的闭锁窗口现象时,发现了一种新的抗闭锁方法———伪闭锁路径法。
5)  post CMOS
后CMOS器件
1.
s:Several new devices which are the candidates of post CMOS devices possibly were introduced,including resonant tunneling transistors,single,electron transistors,CNTFETs,molecular devices and spin transistors.
介绍了几种后CMOS器件可能的候选器件:谐振隧道器件、单电子晶体管、碳纳米管晶体管、分子器件和自旋晶体管。
6)  CMOS/SOI device
CMOS/SOI器件
补充资料:g 4000
CAS: 632-79-1
分子式: C8Br4O3
分子质量: 463.72
熔点: 273-277℃
中文名称: 4,5,6,7-四溴-1,3-异苯并呋喃二酮;四溴苯酐;四溴邻苯二甲酸酐

英文名称: 3-Isobenzofurandione, 4,5,6,7-tetrabromo-1;tetrabromo-phthalic anhydrid;4,5,6,7-tetrabromo-3-isobenzofurandione;3,4,5,6-tetrabromophthalic anhydride;bromophthal;bromphthal;fg 400;g 4000

性质描述: 淡黄白色粉末,含溴量68.9%。熔点274-276℃。可溶于硝基苯;N,N-二甲基甲酰胺,微溶于丙酮;二甲苯;氯代烃溶剂;二噁烷,不溶于水及脂肪烃溶剂。

生产方法: 将苯二甲酸酐溶于发烟硫酸中,加入少量碘及铁粉为催化剂,加热至75℃,慢慢加入溴。加毕,在200℃反应17h。在此温度下通入氯气。析出四溴苯酐。过滤,依次用浓硫酸;稀硫酸和水洗涤,干燥,得成品。反应中副产物HBr以水吸收备用。也可将苯二甲酸酐溶于氯磺酸中,加入少量硫,加热至90℃时加入溴,再将温度升高至145℃。反应毕,用空气吹出过量的溴。冷却后将沉淀滤出。用四氯化碳洗以涤,然后再用水洗,干燥得成品。

用途: 反应型阻燃剂,有抗静电效果,可用于聚烯烃;环氧树脂;不饱和聚酯;聚酯及合成纤维等,还可做其他阻燃剂的中间体,亦可作为添加型阻燃剂用于聚乙烯;聚乙烯醋酸乙烯共聚物等塑料。其锌盐电绝缘性较好,可用于聚苯乙烯;聚丙烯;聚乙烯;ABS树脂。


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参考词条