1) CMOS Imaging Device
CMOS成像器件
1.
Research on a Finger Vein Image Capturing Method and Its Apparatus Based on CMOS Imaging Device
基于CMOS成像器件的手指静脉图像采集方法及装置
2) CMOS imager
CMOS图像器件
1.
This paper presented a super resolution image reconstruction algorithm based on the CMOS imager.
提出一种基于CMOS图像器件的超分辨率图像合成算法,该方法将4幅沿水平、垂直及对角线方向错位获取的CMOS图像重新组合,得到一幅重建的新图像。
3) CMOS image sensor
CMOS成像传感器
4) CMOS imaging
CMOS成像
1.
Therefore,a new measuring system based on CMOS imaging and computer image processing is introduced.
针对传统的轮毂形位检测采用直接接触式测量存在测量功能单一、效率和精度较低、测量工具复杂等缺点,提出一种基于CMOS成像和计算机图像处理技术的智能型轮毂形位检测系统,在此基础上可实现轮毂形位参数的非接触、自动化测量。
5) CMOS devices
CMOS器件
1.
This paper presents the string elements for Single Event Latchup,and discusses the major characters and test method for Single Event Latchup of CMOS devices.
介绍了单粒子锁定现象的触发原理,探讨了针对典型CMOS器件SEL现象的主要特征和测试方法,并开展了几种CMOS器件的单粒子锁定试验研究。
2.
The partially depleted SOI CMOS devices and circuits with channel length of 0.
8μm部分耗尽绝缘体上硅(PDSOI)CMOS器件和电路,开发出成套的0。
3.
12μm gate length CMOS devices are fabricated.
在此基础上 ,采用Si3 N4/SiO2 stack栅介质制备出性能优良的栅长为 0 12 μm的CMOS器件 ,器件很好地抑制了短沟道效应 。
6) CMOS device
CMOS器件
1.
Comparison on effects of CMOS devices irradiated by gamma and X ray;
CMOS器件X射线与γ射线辐照效应比较
2.
Deep sub-micron CMOS device modeling and BSIM models;
深亚微米CMOS器件建模与BSIM模型
3.
In studying latchup window phenomena in bulk-Si CMOS devices,a new method for prevention of latchup has been discovered,which is called pseudo-latchup path method.
在研究体硅CMOS器件的闭锁窗口现象时,发现了一种新的抗闭锁方法———伪闭锁路径法。
补充资料:[3-(aminosulfonyl)-4-chloro-N-(2.3-dihydro-2-methyl-1H-indol-1-yl)benzamide]
分子式:C16H16ClN3O3S
分子量:365.5
CAS号:26807-65-8
性质:暂无
制备方法:暂无
用途:用于轻、中度原发性高血压。
分子量:365.5
CAS号:26807-65-8
性质:暂无
制备方法:暂无
用途:用于轻、中度原发性高血压。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条