1) InAlAs
铟铝砷
2) InAlAs/InGaAs
铟铝砷/铟镓砷
3) AlInAs/GaInAs
铝铟砷/镓铟砷
4) indium aluminum arsenic phosphide
磷砷化铝铟
5) indium aluminum antimonide arsenide
砷锑化铝铟
6) AlGaInP/GaAs
铝镓铟磷/砷化镓
补充资料:磷砷化铝铟
分子式:InxAl1-xAsyP1-y, 0≤x≤1 0≤y≤1。
CAS号:
性质:周期表第Ⅲ,V族元素化合物半导体,立方晶系闪锌矿结构,禁带宽度随x,y变化而变化。为间接带隙半导体,可在磷化铟衬底上用液相外延等方法制备,用于制作可见光与近红外发光器件和激光器件。
CAS号:
性质:周期表第Ⅲ,V族元素化合物半导体,立方晶系闪锌矿结构,禁带宽度随x,y变化而变化。为间接带隙半导体,可在磷化铟衬底上用液相外延等方法制备,用于制作可见光与近红外发光器件和激光器件。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条