1) Si-rich SiO 2
富硅SiO2薄膜
2) calcium enriched silica films
富钙SiO2薄膜
3) Si-rich silica films
富Si-SiO2薄膜
4) SiO_2 film
SiO2薄膜
1.
The SiO_2 films at various O_2/Ar flow ratios were prepared by reactive d.
在不同氧氩比例气氛下,采用反应直流磁控溅射方法制备了SiO2薄膜。
2.
0 nm thick SiO_2 film,by vacuum deposition.
0 nm厚SiO2薄膜。
3.
The stability of charge storage of the SiO_2 film electret is improved by the plasma surface treatment of the thermal grown SiO_2 film on the Si substrate.
利用等离子体对硅衬底上热生长SiO2薄膜进行表面处理,提高了二氧化硅薄膜驻极体电荷的储存稳定性。
5) ZrO2/SiO2 film
ZrO2/SiO2薄膜
6) TiO2-SiO2 thin film
TiO2-SiO2薄膜
1.
TiO2-SiO2 thin films were prepared on slide glass substrates by sol-gel method.
当SiO2添加量为30%时,在紫外光照1h时TiO2-SiO2薄膜的光催化活性最佳。
补充资料：硅（sio2）微粉
硅（sio2）微粉
硅微粉是由天然石英（sio2）或熔融石英（天然石英经高温熔融、冷却后的非晶态sio2）经破碎、球磨（或振动、气流磨）、浮选、酸洗提纯、高纯水处理等多道工艺加工而成的微粉。硅微粉是一种无毒、无味、无污染的无机非金属材料。由于它具备耐温性好、耐酸碱腐蚀、导热性差、高绝缘、低膨胀、化学性能稳定、硬度大等优良的性能，被广泛用于化工、电子、集成电路（ic）、电器、塑料、涂料、高级油漆、橡胶、国防等领域。随着高技术领域的迅猛发展，硅微粉亦将步入新的历史发展时期。
主要规格及技术指标
项目规格 化学成份％ 密度g/cm3 莫氏硬度 憎水性（min） 中位粒径（d50um） 比表面积cm2/cc
普通型 pg－300 水份 sio2 fe2o3 al2o3 灼烧失量 26.5 7 18～21 6500～7500
pg－340 0.10 99.5 0.03 0.12 0.15 26.5 7 15～18 7500～8500
pg－600 0.10 99.5 0.03 0.12 0.15 26.5 7 13～15 8500～9500
活性型 0.10 99.5 0.03 0.12 0.15 26.5 7 >45 18～21 6500～7500
0.10 99.5 0.03 0.12 0.15 26.5 7 >45 15～18 7500～8500
0.10 99.5 0.03 0.12 0.15 26.5 7 >45
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条