1) HVPE-ELO GaN
HVPE横向外延GaN
2) epitaxial lateral overgrowth
横向外延
1.
Growth rate model of InP epitaxial lateral overgrowth;
横向外延过生长磷化铟材料的生长速率模型
3) GaN epitaxial film
GaN外延膜
4) GaN epilayer
GaN外延层
1.
GaN epilayers were grown on Si substrates by reactive deposition in vacuum.
采用真空反应法在硅基上制备出了GaN外延层。
5) Hydride vapor phase epitaxy (HVPE)
氢化物气相外延(HVPE)
6) hydride vapor phase epitaxy(HVPE)
氢化物汽相外延(HVPE)
补充资料：gallium nitride GaN
分子式：
CAS号：
性质：白色或微黄色粉末。具有很高的化学稳定性，不溶于水，不与水和浓无机酸反应，稍与稀酸作用，缓慢与碱液反应，空气中加热800℃开始氧化，生成氧化镓。1050℃开始分解。可由气态生长细晶。在1050～1200℃由氧化镓和氨反应或由氯镓酸铵分解制取。为半导体材料和荧光粉。
CAS号：
性质：白色或微黄色粉末。具有很高的化学稳定性，不溶于水，不与水和浓无机酸反应，稍与稀酸作用，缓慢与碱液反应，空气中加热800℃开始氧化，生成氧化镓。1050℃开始分解。可由气态生长细晶。在1050～1200℃由氧化镓和氨反应或由氯镓酸铵分解制取。为半导体材料和荧光粉。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条