1) lateral epitaxial overgrowth
横向外延过生长
1.
The principle of lateral epitaxial overgrowth GaN thin film with MOCVD was introduced.
介绍了金属有机化学气相沉积(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition,MOCVD)法横向外延过生长GaN薄膜的原理,阐述了该技术形成选择生长和减少GaN薄膜缺陷密度的机理。
2) epitaxial lateral overgrowth without mask
无掩模横向外延过生长
3) lateral epitaxial overgrown(LEO)
横向外延生长
4) epitaxial lateral overgrowth
横向外延
1.
Growth rate model of InP epitaxial lateral overgrowth;
横向外延过生长磷化铟材料的生长速率模型
6) ELO
侧向外延生长
1.
Structural properties of epitaxially laterally overgrown (ELO) GaN on patterned GaN "substrates" by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) have been investigated.
研究了在刻有图形的GaN“衬底”上用HVPE方法侧向外延生长 (ELO)GaN的结构特性。
补充资料：外延过窄
外延过窄
underextension
外延过窄(underoxtonsion)婴幼儿在概念形成过程中普遍存在的一种言语现象。由于知识经验的限制，思维概括水平较低，对概念内涵认识不清，扩大了概念内涵，缩小了概念外延。如儿童只知道自己的爸爸叫爸爸，对爷爷是爸爸的爸爸则感到困惑。它是由该年龄阶段儿童心理发展特点所决定的，婴幼儿中特别常见。改变儿童概念外延过窄的办法是丰富儿童的感知觉，增加儿童的见识。 (白学军撰申挂亮审)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条