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1)  α-GaN epitaxy thin film
α-GaN外延薄膜
2)  p-type GaN epitaxial thin films
p型GaN外延薄膜
3)  GaN epitaxial film
GaN外延膜
4)  epitaxial films
外延薄膜
1.
Investigation on interface structure of Ba_(0.7)Sr_(0.3)TiO_3/YBa_2Cu_3O_(7-δ) epitaxial films on (001) SrTiO_3 substrate;
本文利用透射电子显微学和高分辨电子显微学研究了SrTiO3衬底上的Ba0 7Sr0 3TiO3 YBa2Cu3O7-δ(BST YBCO)外延薄膜的界面结构。
5)  epitaxial thin films
外延薄膜
1.
The high quality epitaxial thin films and multilayers for future electronic devices demand a full assessment of these materials, especially structural characterization down to micron scale or even lower, which create interesting and complex challenges for modern analysis techniques.
 对X射线倒易空间图技术(RSM)及X射线反射技术(XRR)的原理及其在外延薄膜表征方面的应用进行了介绍。
6)  epitaxial thin film
外延薄膜
补充资料:α,α,α,α',α',α'-六氯对二甲苯
分子式:C8H4Cl6
分子量:312.84
CAS号:68-36-0

性质:白色针状或粉末状结晶。熔点108-110℃。溶于二甲苯、石油醚、乙醇、植物油,不溶于水。无味,有特殊臭味,遇光、碱会缓慢分解而呈酸性。

制备方法:以混二甲苯为原料,先用98%硫酸磺化,使间二甲苯生成间二甲苯磺酸盐。从磺化反应物中分离出含邻、对二甲苯的油层,水洗、干燥,减压蒸馏出邻、对二甲苯。间二甲苯磺酸盐经水解可得副产品间二甲苯。由邻、对二甲苯经氯化即得1,4-双(三氯甲基)苯:在反应锅中投入邻、对二甲苯,再加入过氧化苯甲酰和三乙醇胺。加热到70℃后,在光照射下导入氯气,于70-80℃反应6h,再升温至100-120℃继续反应,至反应液相对密度达到1.560-1.580(65℃),即为反应终点,停止通氯,减压脱除余氯。降温至5℃,过滤,洗涤得粗品,重结晶,活性炭脱色得成品。

用途:抗血吸虫病药物。对肝吸虫病、阿米巴原虫病、疟疾以及肠道线虫有一定疗效。但对神经系统的不良反应较多见,且延迟反应持续较久。

说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
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