1) SiGe
锗硅合金材料
2) Ge/Si
锗/硅
1.
Hole storage characteristics in Ge/Si hetero-nanocrystal-based memories;
锗/硅异质纳米结构中空穴存储特性研究
2.
p-Channel Ge/Si Hetero-Nanocrystal Based MOSFET Memoryand Its Logic Array;
p沟道锗/硅异质纳米结构MOSFET存储器及其逻辑阵列
3.
The charge storage characteristic of Ge/Si double-layer quantum-dots floating-gate nano-memory was investigated.
设计了一种新型的存储器结构单元———锗/硅双层量子点阵列浮栅结构纳米存储器。
3) GeSi
锗硅
1.
GeSi quantum dots studied by grazing incidence small angle X-ray scattering;
锗硅量子点掠入射小角X射线散射研究
4) SiGe
锗硅
1.
Electrical characteristics and selective growth of SiGe by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition;
超高真空CVD选择性外延锗硅及其电学特性
2.
Design and simulation of high Ge content PIN SiGe photo-detector;
高锗组分PIN锗硅光电探测器设计与模拟
3.
Research on Material Growth of Long Wavelength SiGe Photodectors;
长波长锗硅光电探测器的材料生长研究
5) Si 1-xGe x
锗-硅
6) Si doped Ge
掺锗硅
参考词条
补充资料：锗硅合金
分子式：
CAS号：
性质：一种半导体合金、掺入III族元素为p型，掺入V族元素为n型，用n和p型合金构成热电偶。一端为高温，另一端为低温。在热偶对回路中产生电流。是一种用于高温的半导体温差发电材料。电阻率为10-2～10-3Ω·m。单晶用区域匀平法制备。多晶用热压法制备。用于太阳能聚光发电、工厂余热利用发电、卫星温差发电器。
CAS号：
性质：一种半导体合金、掺入III族元素为p型，掺入V族元素为n型，用n和p型合金构成热电偶。一端为高温，另一端为低温。在热偶对回路中产生电流。是一种用于高温的半导体温差发电材料。电阻率为10-2～10-3Ω·m。单晶用区域匀平法制备。多晶用热压法制备。用于太阳能聚光发电、工厂余热利用发电、卫星温差发电器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。