1) P-a-SiC:H
P型非晶硅碳
2) p type microcrystalline silicon
p型微晶硅
1.
p type microcrystalline silicon(μc-Si∶H) thin films and flexible solar cells were then deposited after the p/i interface treated.
在此基础上,制备p型微晶硅(μc-Si∶H)薄膜与柔性太阳能电池。
3) p-type pdy-Si
p型多晶硅
4) a-Si_xC_(1-x):H
非晶碳化硅
1.
The structural modulability and chemical stability of hydrogenated amorphous Silicon Carbide (a-Si_xC_(1-x):H) films makes it suitable as a barrier layer for low K porous dielectric films.
非晶碳化硅薄膜的结构可调制性及化学稳定性使其成为Cu/超低k多孔介电薄膜结构的扩散阻挡层优异候选材料。
5) p-Silicon (100)
p型单晶硅(100)
6) p-type μc-Si:H thin films
p型微晶硅薄膜
1.
Using plasma enhanced chemical vapor deposition (RF-PECVD) technique p-type μc-Si∶H thin films with the thickness of about 40nm are prepared on the glass substrate when B2H6 is used as dopant.
利用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以B2H6为掺杂剂,在玻璃衬底上制备了厚度为40nm左右的p型微晶硅薄膜。
补充资料：非晶硅
分子式：
CAS号：
性质：又称无定形硅。单质硅的一种形态。棕黑色或灰黑色的微晶体。硅不具有完整的金刚石晶胞，纯度不高。熔点、密度和硬度也明显低于晶体硅。化学性质比晶体硅活泼。可由活泼金属(如钠、钾等)在加热下还原四卤化硅，或用碳等还原剂还原二氧化硅制得。结构特征为短程有序而长程无序的α-硅。纯α-硅因缺陷密度高而无法使用。采用辉光放电气相沉积法就得含氢的非晶硅薄膜，氢在其中补偿悬挂链，并进行掺杂和制作pn结。非晶硅在太阳辐射峰附近的光吸收系数比晶体硅大一个数量级。禁带宽度1.7～1.8eV，而迁移率和少子寿命远比晶体硅低。现已工业应用，主要用于提炼纯硅，制造太阳电池、薄膜晶体管、复印鼓、光电传感器等。
CAS号：
性质：又称无定形硅。单质硅的一种形态。棕黑色或灰黑色的微晶体。硅不具有完整的金刚石晶胞，纯度不高。熔点、密度和硬度也明显低于晶体硅。化学性质比晶体硅活泼。可由活泼金属(如钠、钾等)在加热下还原四卤化硅，或用碳等还原剂还原二氧化硅制得。结构特征为短程有序而长程无序的α-硅。纯α-硅因缺陷密度高而无法使用。采用辉光放电气相沉积法就得含氢的非晶硅薄膜，氢在其中补偿悬挂链，并进行掺杂和制作pn结。非晶硅在太阳辐射峰附近的光吸收系数比晶体硅大一个数量级。禁带宽度1.7～1.8eV，而迁移率和少子寿命远比晶体硅低。现已工业应用，主要用于提炼纯硅，制造太阳电池、薄膜晶体管、复印鼓、光电传感器等。
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参考词条