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1)  P-μc-Si1-xGex:H
P型微晶锗硅
2)  p type microcrystalline silicon
p型微晶硅
1.
p type microcrystalline silicon(μc-Si∶H) thin films and flexible solar cells were then deposited after the p/i interface treated.
在此基础上,制备p型微晶硅(μc-Si∶H)薄膜与柔性太阳能电池。
3)  nicrocrystalline silicon-germanium (μc-SiGe)
微晶硅锗
4)  p-type μc-Si:H thin films
p型微晶硅薄膜
1.
Using plasma enhanced chemical vapor deposition (RF-PECVD) technique p-type μc-Si∶H thin films with the thickness of about 40nm are prepared on the glass substrate when B2H6 is used as dopant.
利用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以B2H6为掺杂剂,在玻璃衬底上制备了厚度为40nm左右的p型微晶硅薄膜。
5)  microcrystalline silicon germanium thin film
微晶硅锗薄膜
6)  p-type hydrogenated microcrystalline silicon thin films
p型氢化微晶硅薄膜
补充资料:锂云母型可切削微晶玻璃


锂云母型可切削微晶玻璃


锂云母型可切削徽晶玻璃 诗培南借稿
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