1) SOI substrate
SOI衬底
1.
SiGe/Si epitaxy layers were grown on a n+-Si and a SOI substrate by the Ultra High Vacuum/Chemical Vapor Deposition(UHV/CVD) system respectively,and SiGe/Si HBTs(Heterostructure Bipolar Transistors)were fabricated with 2 μm process.
分别在高掺杂的Si衬底和SOI衬底上用超高真空化学汽相淀积(UHV/CVD)系统生长了SiGe/Si外延材料,并采用2μm的工艺制备出SiGe/SiHBT(Heterostructure Bipolar Transistor)。
2) Silicon on insulator
SOI
1.
An ultracompact 3 dB coupler is designed and fabricated in silicon on insulator,based on 1×2 line tapered multimode interference (MMI) coupler.
采用线锥形结构 ,在 silicon- on- insulator(SOI)材料上设计并实现了一种新的紧缩型 3- d B多模干涉耦合器(MMI) 。
2.
A 4×4 area modulation silicon on insulator (SOI) multimode interference coupler optical switch, composed of four cascaded 2×2 area modulation optical switches, has been designed.
根据区域调制多模干涉耦合器光开关的工作原理 ,以 2× 2区域调制多模干涉光开关为基础 ,采用级联的方式设计了 4× 4区域调制多模干涉SOI光波导开关。
3.
Silicon on insulator(SOI) structure, as a very large scale integrated circuit(VLSI) wafer, has attractive features such as radiationhardening, no parasitic capacitance and latchup effect.
绝缘体上生长的薄单晶硅膜 (SOI)具有良好的横向绝缘、抗辐照、无锁存效应和无寄生电容 ,并能有效地提高硅集成电路的速度和集成度 ,在深亚微米 VL SI技术中 ,具有很大的优势和潜力。
3) substrate
[英]['sʌbstreit] [美]['sʌbstret]
衬底
1.
Effects of substrates on the microstructure of vanadium pentoxide thin films;
衬底对V_2O_5薄膜微观结构的影响
2.
Influence of substrate on shielding effectiveness of metallic mesh under oblique incidence condition;
倾斜入射条件下衬底对金属网栅屏蔽特性的影响
3.
The Status and Development of Substrates for HgCdTe Epilayer;
碲镉汞外延用衬底材料的现状和发展
4) botton liner
底衬
1.
The testing modification of botton liner conducted on 6000 disc pelletizers in CHONGGANG was presented The pelletizing characteristics of various botton liner material was compared and through reasonably selecting of liner material ,the obvious benefit was obtained Five month′s operation shows that not only the disc working state was normal but also the pelletizing characteristic was improve
介绍了重钢对 2 0 0 1年 3月投产使用的 60 0 0mm圆盘造球机底衬所进行的试验改造。
5) steel substrate
钢衬底
1.
Silicon nitride film onto steel substrate prepared by RF-PECVD;
RF-PECVD法在钢衬底上沉积氮化硅薄膜的研究
6) InSb substrate
InSb衬底
补充资料：衬经衬纬圆纬机
用以编织衬经衬纬针织物的圆型纬编针织机。它在编织平针组织的同时,衬入不参加成圈的经纱和纬纱,形成衬经衬纬针织物。其基本组织结构如图1所示。 这种针织物的纵向和横向的延伸度都较小，具有机织物的特性，除适合做各种外衣外，还可作灌溉用涂塑管道的骨架。在衬经衬纬圆纬机上，有三组纱线：衬经纱、衬纬纱、成圈纱参加编织。其编织机构如图2所示。
机器的针筒固定在台面上，三角座相对于针筒回转。衬经纱从固定的纱架上引出，通过分经盘（或导经片）由上而下经过针间衬入织物线圈纵行间。所有衬经纱从针筒口向外倾斜一定角度，形成圆锥面，便于成圈纱的喂入。衬纬纱筒子架位于衬经纱外侧，与三角座一起回转，通过导纬器将纬纱衬入针背与经纱之间，依次横向搁在针上的旧线圈上方。成圈纱筒子架位于衬经纱内侧，与三角座同步回转。导纱器处于织针与衬经纱之间，把成圈纱喂入针钩内编织成圈，形成平针组织，同时，使其线圈的沉降弧从内侧包住衬经纱，圈柱从外侧包住衬纬纱，从而使三组纱线结合在一起，形成一种基本的衬经衬纬针织物。 衬经衬纬针织物用于外衣产品时，由于衬经纱和衬纬纱之间没有交织点，易于拱出，因此，需改变其组织结构。例如，通过导经片将衬经纱在针头上绕一圈，并把它向下转移到旧线圈处,再和旧线圈一起向上套圈,使衬经纱与成圈纱结合得更紧密。另外，适当加粗衬纬纱，也可提高衬经衬纬针织物的结构稳定性。
机器的针筒固定在台面上，三角座相对于针筒回转。衬经纱从固定的纱架上引出，通过分经盘（或导经片）由上而下经过针间衬入织物线圈纵行间。所有衬经纱从针筒口向外倾斜一定角度，形成圆锥面，便于成圈纱的喂入。衬纬纱筒子架位于衬经纱外侧，与三角座一起回转，通过导纬器将纬纱衬入针背与经纱之间，依次横向搁在针上的旧线圈上方。成圈纱筒子架位于衬经纱内侧，与三角座同步回转。导纱器处于织针与衬经纱之间，把成圈纱喂入针钩内编织成圈，形成平针组织，同时，使其线圈的沉降弧从内侧包住衬经纱，圈柱从外侧包住衬纬纱，从而使三组纱线结合在一起，形成一种基本的衬经衬纬针织物。 衬经衬纬针织物用于外衣产品时，由于衬经纱和衬纬纱之间没有交织点，易于拱出，因此，需改变其组织结构。例如，通过导经片将衬经纱在针头上绕一圈，并把它向下转移到旧线圈处,再和旧线圈一起向上套圈,使衬经纱与成圈纱结合得更紧密。另外，适当加粗衬纬纱，也可提高衬经衬纬针织物的结构稳定性。
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参考词条