1) Strained silicon SOI
应变硅SOI
2) SOI application
SOI应用
3) strained Si
应变硅
1.
The growth and quality evaluation of strained Si material with multilayer structure;
多层复合结构应变硅材料的生长和特性
2.
Stress Analysis of Semiconductor Devices Based on Strained Si Technology;
基于应变硅技术的半导体器件的应力分析
3.
The surface root mean square roughness of the strained Si cap layer is 2.
21/梯度Si1-xGex/Si虚拟衬底上的应变硅材料的制备和表征,这一结构是由减压外延气相沉积系统制作的。
4) strained SiGe
应变硅锗
5) Strained silicon
应变硅
1.
Strained silicon is an important technique to extend Moore s Law.
应变硅已成为延伸摩尔定律(Moore’s Law)的重要技术手段之一。
2.
Hole mobility in strained silicon pMOS inversion layers is investigated theoretically.
对应变硅pMOS反型层中的空穴迁移率进行了理论研究。
3.
The most updated90nm manufacturing technology is introduced,along with some new techniques such as strained silicon and50nm gate-length transistor.
介绍集成电路制造技术90nm最新工艺的一些动态及采用的新技术,如应变硅、50nm晶体管栅极长度,并对今后集成电路的发展做了简单展望。
6) strained-Si
应变硅
1.
An Analytical Model of Electron Mobility for Strained-Si Channel nMOSFETs;
应变硅电子迁移率解析模型(英文)
2.
Finite-element study of strain field in the channel of strained-Si MOSFET;
应变硅MOSFET沟道应变的有限元研究
补充资料：二氯二甲基硅烷与二氯二苯基硅烷、三氯甲基硅烷、三氯苯基硅烷和三氯苯基硅烷的聚合物
CAS：28630-33-3
分子式：(C12H10Cl2Si·C6H5Cl3Si·C2H6Cl2Si·CH3Cl3Si)x
中文名称：二氯二甲基硅烷与二氯二苯基硅烷、三氯甲基硅烷、三氯苯基硅烷和三氯苯基硅烷的聚合物
英文名称：Silane, dichlorodimethyl-, polymer with dichlorodiphenylsilane, trichloromethylsilane and trichlorophenylsilane silane, dichlorodimethyl-, polymer with dichlorodiphenylsilane, trichloromethyl
分子式：(C12H10Cl2Si·C6H5Cl3Si·C2H6Cl2Si·CH3Cl3Si)x
中文名称：二氯二甲基硅烷与二氯二苯基硅烷、三氯甲基硅烷、三氯苯基硅烷和三氯苯基硅烷的聚合物
英文名称：Silane, dichlorodimethyl-, polymer with dichlorodiphenylsilane, trichloromethylsilane and trichlorophenylsilane silane, dichlorodimethyl-, polymer with dichlorodiphenylsilane, trichloromethyl
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条