1) CH films
非晶碳氢薄膜
1.
Amorphous hydrogenated carbon films(α:CH films) are fabricated by low pressure plasma chemical vapor deposition method.
利用低压等离子体化学气相沉积法制备厚度不同的非晶碳氢薄膜,采用X射线反射法测量了非晶碳氢薄膜的密度和厚度。
2) Hydrogenated amorphous carbon films
氢化非晶碳薄膜
3) fluorinated amorphous hydrocarbon film
氟化非晶碳氢薄膜
1.
Infrared structure and electrical characteristics of the fluorinated amorphous hydrocarbon film;
氟化非晶碳氢薄膜的红外结构及其电学特性
4) amorphous silicon carbon films
非晶氢化硅碳薄膜
5) a-C∶Br∶H
掺溴非晶碳氢薄膜
1.
Bromine doped hydrogenated amorphous carbon(a-C∶Br∶H)thin films were deposited on silicon wafers by rf.
56MHz射频等离子体化学气相淀积方法(RF-PECVD)在硅片衬底上生长了掺溴非晶碳氢薄膜(a-C∶Br∶H)。
6) Amorphous carbon film
非晶碳薄膜
1.
Hydrogenated amorphous carbon films were deposited using ECR plasma with benzene as carbon source at varying substrate temperature.
用苯作为源气体 ,使用微波电子回旋共振 (ECR)等离子体气相沉积法在不同温度下制备了含氢非晶碳薄膜 ,研究了沉积温度对薄膜的直流电阻率、击穿场强的影响 ,发现它们与沉积速率密切相关 。
2.
The results show that amorphous carbon films have high etching resistance against oxygen plasma, and etch rates of the films correlated not only with etching processing parameters, also with deposition conditions.
用苯作源气体在一个微波电子回旋共振等离子体系统中沉积了含氢非晶碳薄膜 ,研究了沉积参数对膜的生长速率的影响。
补充资料：稀土-铁族金属非晶薄膜磁光材料
分子式：
CAS号：
性质：用稀土和铁族金属制成的薄膜磁光材料其组成、电和磁性能及单轴各向异性受沉积条件及靶材成分影响。非晶态霍耳电压(VH)与磁场关系和极向克尔磁带回线相似，在补偿温度(Tcomp)附近，霍尔系数R1改变符号，当T<Tcomp时，R1为负，相反为正。其制备方法为高频溅射、真空蒸发、磁控溅射等。
CAS号：
性质：用稀土和铁族金属制成的薄膜磁光材料其组成、电和磁性能及单轴各向异性受沉积条件及靶材成分影响。非晶态霍耳电压(VH)与磁场关系和极向克尔磁带回线相似，在补偿温度(Tcomp)附近，霍尔系数R1改变符号，当T<Tcomp时，R1为负，相反为正。其制备方法为高频溅射、真空蒸发、磁控溅射等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条