1) RTD integrated circuit technology
共振隧穿器件集成电路技术
2) RTD
共振隧穿器件
1.
Device Structure and Fabrication of RTD:Lecture of RTD(6);
RTD的器件结构及制造工艺——共振隧穿器件讲座(6)
3) resonant tunneling devices
共振隧穿器件
1.
The features,classification, operating principle, design on material and devices, fabrication processing, parameters and measurement of resonant tunneling devices were introduced.
通过对共振隧穿器件的特点、分类、工作原理、电流成分、器件参数等的介绍,为初学人员或非专业爱好人员提供一个对共振隧穿器件全面的、概括性的认识。
5) Double barrier electron tunneling
电子共振隧穿
6) resonant tunneling current
共振隧穿电流
1.
The dependence of resonant tunneling current density on the applied bias voltage and strain is studied in theory.
本文通过对共振隧穿电流密度随外加偏压及应力而变的依赖关系的理论研究,模拟了Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnS共振隧穿电流密度随外加偏压及应力的变化曲线。
补充资料：隧穿效应
分子式：
CAS号：
性质：见隧道效应。
CAS号：
性质：见隧道效应。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条