1) plasma-assisted molecular beam epitaxy
等离体辅助分子束外延
2) P-MBE
等离子辅助分子束外延
3) plasma assisted molecular beam epitaxy
等离子体辅助分子束外延
4) plasma assisted molecular beam epitaxy (P-MBE)
等离子体辅助分子束外延(P-MBE)
5) radio frequency plasma-assisted molecular beam epitaxy
射频等离子体辅助分子束外延
1.
The main task of this paper is to investigate the growth of high quality single crystalline Zinc Oxide (ZnO) thin film on sapphire (0001; α-Al_2O_3) substrate via radio frequency plasma-assisted molecular beam epitaxy (rf-MBE).
本论文的主要任务是研究在蓝宝石(0001)衬底上利用射频等离子体辅助分子束外延(rf-MBE)系统生长出高质量的氧化锌(ZnO)单晶外延薄膜，为ZnO这一新颖的半导体材料在光电子器件方面得到应用打下基础。
6) plasma-enhanced molecular beam epitaxy
等离子体增强分子束外延
补充资料：分子束外延
分子式：
CAS号：
性质：在超高真空条件下，精确控制蒸发源给出的中性分子束流强，在基片上外延成膜的技术。MBE设备由真空系统，蒸发源，监控系统和分析测试系统构成。已在GaAs、InP、A1GaAs、InGaP、InGaAs等III-V族半导体单晶膜外延，掺杂控制(原子面掺杂、平面掺杂)上取得良好效果。另外制备出Ⅱ～Ⅵ族ZnS单晶膜；CaF2、SrF2、BaF2等绝缘膜；PtSi、Pd2Si、NiSi2、CoSi2等硅化物；并制备出多种异质外延构件和器件。用MBE法在(100)SrTiO3和(100)Zr基片上生长的yBa2Cu3O7膜Tc分别为88K和87K。
CAS号：
性质：在超高真空条件下，精确控制蒸发源给出的中性分子束流强，在基片上外延成膜的技术。MBE设备由真空系统，蒸发源，监控系统和分析测试系统构成。已在GaAs、InP、A1GaAs、InGaP、InGaAs等III-V族半导体单晶膜外延，掺杂控制(原子面掺杂、平面掺杂)上取得良好效果。另外制备出Ⅱ～Ⅵ族ZnS单晶膜；CaF2、SrF2、BaF2等绝缘膜；PtSi、Pd2Si、NiSi2、CoSi2等硅化物；并制备出多种异质外延构件和器件。用MBE法在(100)SrTiO3和(100)Zr基片上生长的yBa2Cu3O7膜Tc分别为88K和87K。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条