2) average bond energy
平均键能
1.
It is concluded that the average bond energy E m is equivalent to the Fermi level E F on free electronic band.
根据半导体自由电子能带模型 ,文中在面心立方 (fcc)晶体、体心立方 (bcc)晶体和 6角密堆积 (hcp)晶体中研究自由电子能带的平均键能 Em 和费米能级 EF 的关系 ,并得出自由电子能带的平均键能 Em 相当于费米能级 EF 的研究结果。
2.
In free electron band model of three different crystal structures,face\|centered cubic (fcc),body\|centered cubic (bcc),and hexagonal close\|packed (hcp) structures,we fine that the average energy of the four lowest band eigenvalues and the five sub\|low band eigenvalues (called as average bond energy E m) is rather close to Fermi level E F.
在面心立方 (fcc)、体心立方 (bcc)和六角密堆积 (hcp) 3种不同结构晶体的自由电子能带模型中 ,发现 4个最低能带与 5个次低能带本征值的平均能量 (称为平均键能 ,Em)与费米能级 (EF)相当接近 ;并进一步在hcp结构的钛(Ti)、锆 (Zr)和铪 (Hf)以及bcc结构的铁 (Fe)等金属中 ,采用从头赝势能带计算方法和平均键能计算方法 ,证实在这些金属的实际能带中 ,平均键能 (Em)值仍然非常接近于费米能级 (EF)值 。
3.
One of the model theories for band aligning is average bond energy model,in which the average bond energy is used as a reference level for determining valence band offsets.
将平均键能方法推广应用于应变层异质结的价带和导带阶研究。
3) averaged bond dissociation energies
平均键离解能
4) Mean stored energy
平均键畸变能
5) average bond energy method
平均键能方法
6) Semiconductive properties
半导体性能
1.
The semiconductive properties of passive film formed on 304L stainless steel in 0.
5 mol/L NaHCO3溶液中所形成的钝化膜的半导体性能,同时对影响钝化膜半导体性能的因素进行了讨论。
补充资料：宽禁带半导体(见半导体的能带结构)
宽禁带半导体(见半导体的能带结构)
wide gap semiconductor
习一’平叼能带结构。‘J~正J“、二二，，Conauctor见半
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参考词条