1) High voltage BCD process
高压BCD工艺
2) BCD high voltage technology
BCD高压工艺
1.
6 μm BCD high voltage technology,a high precision LDO featured with wide input voltage range is presented.
6μm BCD高压工艺实现。
3) BCD process
BCD工艺
1.
The principle, characteristics and the prospect of the BCD process were presented.
对BCD工艺兼容性进行了说明,着重阐述了LDMOS的工艺原理和关键工艺设计考虑。
2.
This paper designs a buck DC/DC switch mode regulator with the BCD process.
本文设计了一款基于BCD工艺的单片BUCK型DC/DC变换器芯片。
3.
6μm 30V BCD process, and works on the critical-conduction mode by peak-current mode controlling, so it has the characteristics of simple structure, small size and high power factor.
6μm 30V BCD工艺,工作于临界导通模式,采用峰值电流模控制,具有结构简单、体积小和功率因数高的特点。
4) BCD Process
BCD 工艺
1.
Moreover, this power device and low voltage power manage circuits have been successfully integrated on the same chip by BCD process.
本文提出P 型多环结构的新型Double RESURF LDMOS,并通过合理设计BCD 工艺将此功率器件与低压电源管理电路集成在同一芯片上。
5) High Voltage process
高压工艺
6) BCD(Bipolar-CMOS-DMOS) technology
BCD(双极型-CMOS-DMOS)工艺
补充资料：高压法硝酸工艺
分子式：
CAS号：
性质：生产稀硝酸方法之一。氧化、吸收全过程均在0.71～1.2MPa压力下进行。特点：氨氧化炉铂网充填数多达20层左右，铂网消耗较大。氨氧化率为95％。
CAS号：
性质：生产稀硝酸方法之一。氧化、吸收全过程均在0.71～1.2MPa压力下进行。特点：氨氧化炉铂网充填数多达20层左右，铂网消耗较大。氨氧化率为95％。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条