1) HVCMOS
高压CMOS工艺
1.
Investigations of Key Technologies for 100V HVCMOS Process;
100V高压CMOS工艺关键技术的研究(英文)
2) CMOS
CMOS工艺
1.
10 Gb/s 0.18μm CMOS4∶1 Multiplexer;
10 Gb/s 0.18μm CMOS工艺复接器设计
2.
6μm CMOS technology.
采用CSMC0·6μmCMOS工艺设计实现了低压、低功耗的多级运算跨导放大器。
3.
The present status of power amplifier in CMOS process is discussed,and its potential applications in RFID technology are summarized in the paper.
针对国内外射频识别技术的迅猛发展,结合射频识别技术的应用背景,阐述了读写器中最大的耗能器件—功率放大器的研究现状;指出CMOS工艺应用于功率放大器设计的局限性和可行性;最后,探讨了将CMOS功率放大器应用于射频识别技术的主要研究方向。
3) CMOS technology
CMOS工艺
1.
Low phase noise LC VCO design in CMOS technology;
CMOS工艺的低相位噪声LC VCO设计(英文)
2.
18 μm CMOS technology.
18μm CMOS工艺实现的2。
3.
6μm CMOS technology.
6μm CMOS工艺设计了一种用于光纤通信的跨阻前置放大器。
4) CMOS process
CMOS工艺
1.
Design of folded-cascode operational amplifier with 0.6μm CMOS process;
0.6μm CMOS工艺折叠共源共栅运算放大器设计
2.
Design of on-chip transmission line in CMOS process;
CMOS工艺片上传输线研究
3.
Property of polyimide capacitive type humidity sensor prepared by CMOS process
CMOS工艺制备聚酰亚胺电容型湿度传感器及其性能
补充资料：高压法硝酸工艺
分子式：
CAS号：
性质：生产稀硝酸方法之一。氧化、吸收全过程均在0.71～1.2MPa压力下进行。特点：氨氧化炉铂网充填数多达20层左右，铂网消耗较大。氨氧化率为95％。
CAS号：
性质：生产稀硝酸方法之一。氧化、吸收全过程均在0.71～1.2MPa压力下进行。特点：氨氧化炉铂网充填数多达20层左右，铂网消耗较大。氨氧化率为95％。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条