2) resonant tunneling diode
共振隧穿二极管
1.
Effect of polarization on current characteristics of AlN/GaN resonant tunneling diode
极化效应对AlN/GaN共振隧穿二极管电流特性的影响
2.
The relaxation oscillation characteristics of a resonant tunneling diode (RTD) with applied pressure are reported.
报道了共振隧穿二极管(RTD)在压力下的弛豫振荡特性。
3.
A new type of planar resonant tunneling diode(RTD) was fabricated by ion implantation.
采用离子注入方法制作了一种新型平面共振隧穿二极管(RTD),通过离子注入将器件之间进行隔离,避免了传统台面型RTD中采用的台面刻蚀所带来的一些缺点,并且表现出良好的I-V特性,峰谷电流比为3。
3) RTD
谐振隧穿二极管
1.
This paper describes a monolithic OEIC that uses resonant tunneling diodes (RTDs) and metal-semiconductor-metal photo detectors (MSM-PDs).
设计了由谐振隧穿二极管 (RTD)为驱动器件 ,以金属 -半导体 -金属光探测器(MSM PD)为光敏元件的光电集成电路单元 ,利用通用电路模拟软件PSPICE基于其物理意义的电流 -电压方程建立直流电路模型 ,模拟其暂态特性 ,结果表明器件具有反相输出功能和双稳态特性。
4) RTD
共振隧穿二极管
1.
Photodetector and Optical Modulator with RTD Structure;
共振隧穿二极管型光探测器和光调制器
2.
Electric Charge Accumulation Effect in RTD:Lecture of Resonant Tunneling Devices(4);
共振隧穿二极管中的电荷积累效应——共振隧穿器件讲座(4)
3.
Design of RTD-Based TSRAM;
基于共振隧穿二极管的TSRAM设计(英文)
5) planar resonant tunneling diodes
平面型共振隧穿二极管
1.
To resolve the undercut problem in the fabrication of conventional resonant tunneling diodes,a method was proposed for the fabrication of planar resonant tunneling diodes in N~+GaAs substrate through ion implant.
为了解决传统台面型共振隧穿二极管制作过程中横向钻蚀问题,提出了一种采用离子注入法在N+GaAs衬底上制作平面型共振隧穿二极管,通过离子注入对器件之间进行隔离,取代了台面制作工艺中的通过湿法腐蚀隔离器件的目的。
2.
In this thesis, the fabrication of planar resonant tunneling diodes and mesa-type resonant tunneling diodes, the measurement and analysis of MOBILE(monostable-bistable transition logic element)circuit cell build up by planar resonant tunneling diodes, the measurement and analysis of series resistance of resonant tunneling diodes, and fabrication of resonant tunneling transistor are studied.
本论文包括了平面型共振隧穿二极管的研制、台面型共振隧穿二极管的制作、由平面型共振隧穿二极管组成的MOBILE单元电路设计与测试、共振隧穿二极管的串联电阻的分析与测试以及共振隧穿晶体管的研制等研究内容。
6) resonant tunneling diode (RTD)
共振隧穿二极管(RTD)
补充资料：隧穿效应
分子式：
CAS号：
性质：见隧道效应。
CAS号：
性质：见隧道效应。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条