1) resonant tunneling bipolar transistor
共振隧穿双极晶体管
1.
The resonant tunneling bipolar transistor is made b.
双势垒结构与通常的双极晶体管结合可以做成共振隧穿双极晶体管 ,它们可以用来做成多态记忆器和模数转换器等器件 。
2) resonant tunneling transistor
共振隧穿晶体管
1.
A Schottky gate resonant tunneling transistor(RTT) is fabricated.
已研制成了肖特基栅共振隧穿晶体管,在双势垒结构上蒸发铂金形成栅。
3) RTT
共振隧穿晶体管
1.
An Inverter Unified Model of RTT;
共振隧穿晶体管的反相器统一模型
2.
A GaAs-based resonant tunneling transistor with a gate structure(GRTT) has been designed and fabricated successfully for the first time in mainland China.
在研制RTD经验的基础上设计并研制成功栅型GaAs基共振隧穿晶体管(GRTT)。
4) RTD-HBT
共振隧穿二极管-异质结晶体管
1.
RTD and HBT are devices with advantages of high frequency and high speed,RTD-HBT ring oscillator has a great potential for future application.
RTD与HBT是高频高速器件,共振隧穿二极管-异质结晶体管(RTD-HBT)环形振荡器有很好的应用前景。
5) DBRT diodes
双垫垒共振隧穿二极管
6) DBRTD
双势垒共振隧穿二极管
1.
Direct current (DC) characteristics of AlAs/GaAs/InGaAs double barriers resonant tunneling diodes (DBRTDs) are simulated under different material structures parameters by hydrodynamic model of ISE software.
利用ISE软件的水动力学模型对不同材料结构的AlAs/GaAs/InGaAs双势垒共振隧穿二极管(DBRTD)的直流特性进行了模拟。
补充资料：绝缘栅双极型晶体管
绝缘栅双极型晶体管
insulated gate bipolar transistor,IGBT
IGBT作为开关使用时，为使通态压降UcE低，通常选择为氏E值为10一15v，此情况下通态压降接近饱和值。UGE值影响短路破坏耐量(时间)，耐量值为微秒级，UG。值增加，短路破坏耐量(时间)减少。门极电阻R。的取值影响开关时间，RG值大，开关时间增加，单个脉冲的开关损耗增加。但RG值减小时，di/dt增大，可能会导劲GBT误导通。R殖一般取几十欧至几百欧。 主要参数Ic为集电极额定最大直流电流;U(BocES为门极短路时的集一射极击穿电压;尸C为额定l日ey日onshon shuong]!x一ng}ing丈}guon绝缘栅双极型晶体管(insulatedgate biPolartransistor，IG召T)一种场控自关断的电力电子器件，又称绝缘门极双极型晶体管。此种晶体管在80年代迅速发展起来。IGBT的等效电路、图形符号如图(a)所示，图(b)、(c)分别为其转移特性和输出特性。IGBT的输人驱动级为N沟道增强型绝缘栅场效应晶体管MOSFET，输出级为电力晶体管(GTR)，形成达林顿晶体管电路结构。因此IGBT兼有MOSFET高输人阻抗、快开关速度和GTR的高电流密度、低通态压降的优点，但IGBT的门极偏置(又称栅极偏置)对特性影响很大。 门极偏置IGBT的导通和关断是由门极电压控制的。如图(b)所示，当门极电压UGE大于N沟道MOSFET的闭值电压(开启电压)UGE(th)时，MOSFET导通，从而给PNP管提供基极电流而使其导通;当门极电压小于氏E(th)时，MOSFET关断，PNP管无基极电流流过而截止。如图(。)所示，当IGBT导通时，工作在特性曲线电流上升区域，UGE增大时，UcE值减小。的最大耗散功率;UcE(sat)为集一射极间的饱和压降;IcE(、，为门极短路时集电极最大关断电流;Rth为结壳间的最大热阻;T为最高工作温度。 发展表中列出了各代IGBT器件的典型特性参数。IGBT发展非常迅速，正在向高频、高压、大电流以及降低器件的开关损耗和通态损耗方向发展。已研制出电压高达RN任于二Go一』(a)它珑功勺(b)鲡电为50O0V，10DA/emZ流密度下UCE、。认，E，鲡鲡2.SV左右的IGBT。IGBT、功率MOSF-ET发展前景广阔，已成为中、小功率低压应用领域的主导器件。由于IGBT特性参数优越，，预计2000年功率达IMVA的GTR和GTO逆变器，将被IGBT逆变器所替代。UOE】>陇E，<呱ES (e)IGBT等效电路、图形符号 和特性曲线 (a)等效电路、图形符号;(b)转移特性;(。)输出特性各代IGBT器件的典型特性参数表
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条