1) RTD logic circuit
共振隧穿二极管逻辑电路
2) resonant tunneling diode
共振隧穿二极管
1.
Effect of polarization on current characteristics of AlN/GaN resonant tunneling diode
极化效应对AlN/GaN共振隧穿二极管电流特性的影响
2.
The relaxation oscillation characteristics of a resonant tunneling diode (RTD) with applied pressure are reported.
报道了共振隧穿二极管(RTD)在压力下的弛豫振荡特性。
3.
A new type of planar resonant tunneling diode(RTD) was fabricated by ion implantation.
采用离子注入方法制作了一种新型平面共振隧穿二极管(RTD),通过离子注入将器件之间进行隔离,避免了传统台面型RTD中采用的台面刻蚀所带来的一些缺点,并且表现出良好的I-V特性,峰谷电流比为3。
3) RTD
共振隧穿二极管
1.
Photodetector and Optical Modulator with RTD Structure;
共振隧穿二极管型光探测器和光调制器
2.
Electric Charge Accumulation Effect in RTD:Lecture of Resonant Tunneling Devices(4);
共振隧穿二极管中的电荷积累效应——共振隧穿器件讲座(4)
3.
Design of RTD-Based TSRAM;
基于共振隧穿二极管的TSRAM设计(英文)
4) TDTL Tunnel C Diode Transistor Logic
隧道二极管晶体管逻辑(电路)
6) planar resonant tunneling diodes
平面型共振隧穿二极管
1.
To resolve the undercut problem in the fabrication of conventional resonant tunneling diodes,a method was proposed for the fabrication of planar resonant tunneling diodes in N~+GaAs substrate through ion implant.
为了解决传统台面型共振隧穿二极管制作过程中横向钻蚀问题,提出了一种采用离子注入法在N+GaAs衬底上制作平面型共振隧穿二极管,通过离子注入对器件之间进行隔离,取代了台面制作工艺中的通过湿法腐蚀隔离器件的目的。
2.
In this thesis, the fabrication of planar resonant tunneling diodes and mesa-type resonant tunneling diodes, the measurement and analysis of MOBILE(monostable-bistable transition logic element)circuit cell build up by planar resonant tunneling diodes, the measurement and analysis of series resistance of resonant tunneling diodes, and fabrication of resonant tunneling transistor are studied.
本论文包括了平面型共振隧穿二极管的研制、台面型共振隧穿二极管的制作、由平面型共振隧穿二极管组成的MOBILE单元电路设计与测试、共振隧穿二极管的串联电阻的分析与测试以及共振隧穿晶体管的研制等研究内容。
补充资料：二极管-晶体管逻辑电路
输入端用二极管实现"与"逻辑，输出端用晶体管实现"非"逻辑,采用二极管电平位移的单元门电路,简称DTL电路。其基本电路如图1。在图1a中的二极管D1、D2和D3完成"与"逻辑,二极管D4和D5提供补偿电压,晶体管T完成"非"逻辑,并提供增益。二极管D1、D2和D3的数目和"与"门输入端A、B、C的数目相同,增加二极管可扩展输入端数。
图2是 DTL电路的输入和输出电压传输特性。与直接耦合晶体管逻辑电路(DCTL)和电阻-晶体管逻辑电路(RTL)相比,DTL电路从"0"到"1"转换时的输入电压（阈值）比前者高。阈值升高是因为DTL电路增设了电平位移二极管D4和D5而得到的。阈值可由电平位移二极管的数目调整。一个硅二极管正偏压降约为0.7伏，当输入电压之一低于0.7伏时,其他输入端都接高电平或悬空,P点的电平低于1.4伏，这不足以使二极管D4和D5通导。经R1的电流全部从这一输入端流出，晶体管T处于截止状态,输出为高电平；当输入电压在0.7～1.4伏之间时,P点电平仍由输入电压和二极管正偏压降箝位。由于二极管D4和D5的电平位移作用，这时Q点电平仍在 0.7伏以下，晶体管T仍处于截止状态；只有当输入电压全都大于1.4伏后，P点电平由二极管D4和D5以及晶体管T的be结处于正偏通道，箝位在0.7×3＝2.1伏，二极管D1、D2和D3均处于截止状态,经R1的电流全部从二极管D4和D5到晶体管基极输入端，使晶体管饱和,输出为低电平。输入电压为1.4伏左右时,对应于输出高、低电平的转折点，称为阈值电压。
DTL电路是一种饱和型电路,开关时间长,速度慢,是早期产品，在计算机的应用中已被其他形式的高速门电路所取代。但是,DTL电路具有线路简单和抗干扰性强等优点，常用于对速度要求不高的工业控制方面。
参考书目
复旦大学微电子教研组编:《集成电路设计原理》,人民教育出版社，北京，1978。
沈铎编：《半导体数字集成电路》，国防工业出版社，北京，1980。
图2是 DTL电路的输入和输出电压传输特性。与直接耦合晶体管逻辑电路(DCTL)和电阻-晶体管逻辑电路(RTL)相比,DTL电路从"0"到"1"转换时的输入电压（阈值）比前者高。阈值升高是因为DTL电路增设了电平位移二极管D4和D5而得到的。阈值可由电平位移二极管的数目调整。一个硅二极管正偏压降约为0.7伏，当输入电压之一低于0.7伏时,其他输入端都接高电平或悬空,P点的电平低于1.4伏，这不足以使二极管D4和D5通导。经R1的电流全部从这一输入端流出，晶体管T处于截止状态,输出为高电平；当输入电压在0.7～1.4伏之间时,P点电平仍由输入电压和二极管正偏压降箝位。由于二极管D4和D5的电平位移作用，这时Q点电平仍在 0.7伏以下，晶体管T仍处于截止状态；只有当输入电压全都大于1.4伏后，P点电平由二极管D4和D5以及晶体管T的be结处于正偏通道，箝位在0.7×3＝2.1伏，二极管D1、D2和D3均处于截止状态,经R1的电流全部从二极管D4和D5到晶体管基极输入端，使晶体管饱和,输出为低电平。输入电压为1.4伏左右时,对应于输出高、低电平的转折点，称为阈值电压。
DTL电路是一种饱和型电路,开关时间长,速度慢,是早期产品，在计算机的应用中已被其他形式的高速门电路所取代。但是,DTL电路具有线路简单和抗干扰性强等优点，常用于对速度要求不高的工业控制方面。
参考书目
复旦大学微电子教研组编:《集成电路设计原理》,人民教育出版社，北京，1978。
沈铎编：《半导体数字集成电路》，国防工业出版社，北京，1980。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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