1) WSix deposition
硅化钨沉积
2) WCVD
化学气相沉积钨
1.
WCVD can selective deposit on metal and Silicon.
WCVD的填孔能力主要受器件的结构设计(孔的蚀刻轮廓,大小及深宽比),衬底的阻挡层类型以及化学气相沉积钨工艺本身的参数影响。
3) Tungsten electrodeposition
电沉积钨
4) CLD modification
化学气相硅沉积
1.
SiO2-CLD modification for ZSM-5 acidity was investigated by pyrolysis gas chromatography-mass spectrometer (PGC-MS), Py-IR, NH3-TPD.
目前,各种改性方法已被用于提高ZSM-5的选择性,例如金属、非金属化合物的浸渍,化学气相硅沉积(SiO2-CVD)和预结焦处理等1。
5) silica deposit
二氧化硅沉积
6) CVD-W
化学气相沉积纯钨
1.
The EBSD technology is used to determine the grain orientation microstructure of CVD-W, as well as Hopkinson bar to carry out high strain rate compression tests, in order to investigate the effects of deposition microstructure on the grain boundary and the grain boundary on the plastic deformation.
为研究化学气相沉积纯钨(CVD-W)的沉积组织生长对晶界结构的影响,以及晶界结构对塑性形变的影响;采用电子背散射技术观察CVD-W的微观组织,分析晶界结构;采用Hopkinson压杆系统进行高应变率压缩试验。
补充资料：蓝钨氢还原(见仲钨酸铵氢还原)
蓝钨氢还原(见仲钨酸铵氢还原)
hydrogen reduction of blue tung sten compound
Ianwu qing huanyuan蓝钨氮还原(hydrogen reduetion of bluetungsten compound)见仲钨酸按氮还原。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条