1) Silicon Dioxide Film Deposition
二氧化硅薄膜沉积
1.
Main Chemical Reactions and Methods in Silicon Dioxide Film Deposition Technologies;
二氧化硅薄膜沉积技术的主要化学反应与方法
2) silica deposit
二氧化硅沉积
3) silicon dioxide films
二氧化硅薄膜
1.
FT-IR study of silicon dioxide films fabricated by rapid thermal oxidation;
快速热氧化制备二氧化硅薄膜的红外研究
5) Silica film
二氧化硅薄膜
1.
Without doping,plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) of silica films on Si substrates with gas mixtures of SiH_4 and N_2O is considered.
以硅烷和氧化二氮作为反应气体 ,采用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)技术 ,不使用掺杂 ,在单晶硅衬底上制备了用于平面光波导的二氧化硅薄膜。
6) SiO2 films
二氧化硅薄膜
1.
The high tin-doped SiO2 films prepared by CVD will bring some crystals,but sol gel can control the accurate chemical component of the films.
由于普通的化学气相沉积法制作高掺Sn的二氧化硅薄膜比较容易产生结晶,而溶胶-凝胶法制备薄膜化学组成比较容易控制,可以制作出掺Sn浓度较大的材料。
补充资料：二氧化硅薄膜介质材料
分子式：SiO2
CAS号：
性质：一种高纯氧化膜。具有介电性能稳定、耐潮性好、电容温度系数小和介质损耗角正切值小等优点。介电常数3.67～5.90，tgδ<2×10-4，击穿电压大于50V。采用电子束蒸发法、射频溅射法、热氧化法等制取，主要用于制作半导体混合集成电路和薄膜集成电路的MOS电容器和隔离绝缘层等。
CAS号：
性质：一种高纯氧化膜。具有介电性能稳定、耐潮性好、电容温度系数小和介质损耗角正切值小等优点。介电常数3.67～5.90，tgδ<2×10-4，击穿电压大于50V。采用电子束蒸发法、射频溅射法、热氧化法等制取，主要用于制作半导体混合集成电路和薄膜集成电路的MOS电容器和隔离绝缘层等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条