1) tungsten silicide
钨硅化物
2) substituted complexes
钨硅杂多化合物
3) WSix
硅化钨
1.
Dynamic random access memory(DRAM)suffers from the bridge issue due to the WSix residue on gate sidewall,which is the bottleneck to enhancing the product\'s yield and reliability.
动态随机存储器栅极侧壁硅化钨残留造成的短路成为制约提高产品良率及可靠性的瓶颈。
4) tungstosilicate heteropoly compound
硅钨酸杂多化合物
5) Substituted γ type tungstosilicates
γ-型钨硅酸取代化合物
6) nickel-tungsten-silicon carbide
镍-钨-碳化硅
补充资料：硅化物陶瓷
分子式：
CAS号：
性质：硅和钼、钨、钽等难熔硅化物为主要成分的陶瓷。按结构特征可分为两类：一类是具有金属结构的相，硅原子置换金属原子时晶格类型不变。另一类是复杂结构的硅化物。一般硅与金属形成的化合物熔点低、硬度低，在高温下易发生蠕变。只有钼、钨、钽的硅化物熔点超过2000℃，并具有优良的高温抗氧化性能。可采用钼、钨、钽金属与硅直接化合法、上述金属氧化物的碳还原法、铝热还原法和气相沉积法等制取钼、钨、钽的硅化物粉末。然后按特种陶瓷工艺在氮气等保护气氛下烧结成陶瓷制品。主要用作高温电热元件、热交换器和某些高温零部件。
CAS号：
性质：硅和钼、钨、钽等难熔硅化物为主要成分的陶瓷。按结构特征可分为两类：一类是具有金属结构的相，硅原子置换金属原子时晶格类型不变。另一类是复杂结构的硅化物。一般硅与金属形成的化合物熔点低、硬度低，在高温下易发生蠕变。只有钼、钨、钽的硅化物熔点超过2000℃，并具有优良的高温抗氧化性能。可采用钼、钨、钽金属与硅直接化合法、上述金属氧化物的碳还原法、铝热还原法和气相沉积法等制取钼、钨、钽的硅化物粉末。然后按特种陶瓷工艺在氮气等保护气氛下烧结成陶瓷制品。主要用作高温电热元件、热交换器和某些高温零部件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条