1) LDMOS
LDMOS功率
1.
Design and Fabrication of LDMOS Power Device on SOI Substrate;
SOI LDMOS功率器件的研究与制备
2) RF power LDMOS
射频功率LDMOS
1.
A RF power LDMOS with a trench drift region is optimally designed.
对射频功率LDMOS槽形漂移区的结构进行了优化设计。
2.
A novel buried n layer partial SOI RF power LDMOS is proposed.
提出了具有n埋层PSOI(部分SOI)结构的射频功率LDMOS器件。
3.
A novel n-buried-pSOI sandwiched structure for an RF power LDMOS is p roposed.
提出了具有n埋层pSOI三明治结构的射频功率LDMOS器件。
3) high voltage power LDMOS
高压功率LDMOS
1.
An analysis of threshold voltage temperature coefficient for high voltage power LDMOS;
高压功率LDMOS阈值电压温度系数的分析
4) Power MOS device
功率LDMOS器件
5) RF high power LDMOS
射频大功率LDMOS
1.
RF high power LDMOS, based on the traditional LDMOS, is the preferred device used in the RF amplifier of 3G base stations because of its high oper.
基于其上的射频大功率LDMOS由于具有P、L波段以上的工作频率和高的性价比而成为3G手机基站射频放大器的首选器件。
6) LDMOS power transistor
LDMOS功率晶体管
1.
In the thesis, a new type of device-LDMOS power transistor-is introduced.
本文介绍了一种新型的功率器件：LDMOS功率晶体管，讲述了LDMOS功率晶体管的发展动态和应用前景，通过与双极型晶体管的对比，表明了该器件具有高增益等方面的优点。
补充资料：70t超高功率电弧炉(淮阴钢铁公司)
70t超高功率电弧炉(淮阴钢铁公司)
彝 70t超高功率电弧炉(淮阴钢铁公司)
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参考词条