1) intersubband transition
子带间跃迁
1.
Influence of structure and doping concentration of Al_xGa_(1-x) N/GaN double quantum wells on wavelength and absorption coefficient of intersubband transitions;
Al_xGa_(1-x)N/GaN双量子阱的结构和掺杂浓度对子带间跃迁波长和吸收系数的影响
2.
The influence of polarization-induced electric fields on the electron distribution and the optical properties of intersubband transitions (ISBT) in Al_xGa_ 1-x N/GaN coupled double quantum wells (DQWs) is investigated by self-consistent calculation.
用自洽计算的方法研究了极化电场对Al_xGa_(1-x)N/GaN双量子阱中子带间跃迁的光学性质和电子分布的影响。
3.
The large conduction band offset leads to the short intersubband transition (ISBT) wavelength within the optical communication wavelength range.
大的导带偏移有利于在Al_xGa_(1-x)N/GaN量子阱中获得短波长的子带间跃迁,其跃迁波长可达光纤通信波段,大的LO声子能量和大的电子有效质量有利于获得超快的载流子弛豫机制。
2) intersubband interwell transitions
子带阱间跃迁
4) subband transition
子带跃迁
1.
The subband transition of In_xGa_(1-x)As_ySb_(1-y)/Al_(0.
98量子阱激光器结构的子带跃迁波长及其和阱宽间的关系进行了设计,并采用能量平衡模型计算了此应变材料体系在生长时的临界厚度。
5) intersubband transition
子带跃迁
1.
In this thesis, the interband and intersubband transition (ISBT) optical absorption spectra in a quantum well (QW) are numerically simulated by using density matrix theory, the optical absorption and intraband dynamics of a superlattice (SL) are investigated by using exciton.
2、推导了外加光场作用下的量子阱子带跃迁时载流子运动方程;分别研究了GaAs/AlGaAs和InAs/AlSb量子阱中多体效应对子带跃迁的影响;研究了不同阱宽对子带跃迁光吸收的影响。
6) oscillator strengths for interband transitions
带间光跃迁振子强度
1.
The oscillator strengths for interband transitions of strained GaAs layers grown on GexSi1-x alloys along the (001) plane and the third-order nonlinear optical susceptibilities of strained superlattices (Si2)4/(GaAs).
采用紧束缚方法计算了生长在ＣｅｘＳｉ１－ｘ合金（００１）面上的应变ＧａＡｓ层的带间光跃迁振子强度，以及生长在Ｓｉ（００１）衬底上的应变超晶格（Ｓｉ２）４／（ＧａＡｓ）４的三次非线性光极化率。
补充资料：子瞻去岁春侍立迩英子由秋冬间相继入侍作诗
【诗文】：
乐天名位聊相似，却是初无富贵心。
只欠小絩蛮素在，我知造物爱公深。
【注释】：
【注释】：原题：子瞻去岁春侍立迩英子由秋冬间相继入侍作诗各述所怀予亦次韵四首
【出处】：
乐天名位聊相似，却是初无富贵心。
只欠小絩蛮素在，我知造物爱公深。
【注释】：
【注释】：原题：子瞻去岁春侍立迩英子由秋冬间相继入侍作诗各述所怀予亦次韵四首
【出处】：
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