1) gradual-δ-doping
渐变δ掺杂
1.
Investigation on Mg-gradual-δ-doping of GaN;
p型GaN的渐变δ掺杂研究
2) gradual doping
渐变掺杂
1.
Two kinds of p +(Si 1-xGe x)-n --n + power diode with novel structure are proposed in this paper,one is with gradual doping n --region,and the other is with mesa structure.
由 Medici模拟所得的特性表明 ,在采用 n- 区渐变掺杂结构的 p+ ( Si Ge) -n- -n+ 功率二极管中 ,在正向特性基本不发生变化的前提下 ,与 n-区固定掺杂结构相比反向恢复过程加快 ,二极管下降时间 t A 缩短近 1 /2 ;在采用台面结构的 p+ ( Si Gi) -n- -n+功率二极管中 ,反向恢复特性也有明显改进 ,电流反向恢复时间缩短近 1 /3 ,而电压反向恢复时间缩短近 1 /2。
3) multilayer gradual doping
多层渐变掺杂
4) doped LaCoO3-δ
掺杂LaCoO3-δ
5) δ-doping
δ掺杂
1.
The effect of δ-doping in n-type layers on crystal performance of GaN epitaxial films on Si substrates was studied by ω-scan of different crystal planes with X-ray diffraction method.
用X射线衍射方法通过不同晶面的ω扫描测试,分析了Si衬底GaN蓝光LED外延膜中n-型层δ掺杂Si处理对外延膜结晶性能的影响。
6) carbon δ-doping
碳δ掺杂
补充资料：渐变与突变
| 渐变与突变 gradual and sudden change 事物发展的两种形式。渐变分为量的渐变和质的渐变 。前者是指量的增加或减少，也就是量变；后者是指新质的逐渐积累和旧质的逐渐衰减，也是质变的一种形式。突变则是质变的另一种形式，是渐进过程的中断，是不经过任何过渡阶段从一种质态到另一质态的飞跃。在自然界中，从物理运动到生命运动都普遍存在着渐变和突变这两种发展形式。一切自然过程都是渐变和突变的统一，它们是由于事物的矛盾性质不同和所处条件不同而分别采取的两种不同的变化形式。在有关自然界发展的形式问题上，历来存在着两种截然相反的观点。从古希腊的亚里士多德到近代的G.W.莱布尼茨都坚持认为自然界没有飞跃，甚至把连续性看作自然发展的根本规律。这是一种忽视突变的片面的渐变论。它曾经影响过C.R.达尔文对进化论的哲学解释，甚至对奥地利的E.薛定谔等现代科学家也产生了一定的影响。另一方面，19世纪初法国古生物学家C.居维叶曾根据某些地层和古生物化石的材料 ，提出关于地层演化的突变论。这是一种抹煞渐变的片面的突变论。它同样也对一些现代科学家有着一定的影响。在一切自然过程中，突变是基本的，而且质的渐变也是由无数小的突变组成的。同时，突变具有各种不同的类型。20世纪70年代R.托姆所提出的突变理论，从数学上研究了突变的各种类型。这个理论用一个光滑曲面的几何图形描写各种质变现象，特别是用曲面上的折叠区描写渐进过程中断的突变形式。托姆的突变理论考察了1～4个控制变量、1～2 个行为变量的7种突变类型，即：折线型、尖角型、燕尾型、蝴蝶型、双曲型、椭圆型、抛物型，并以此描写了突变的各种错综复杂的表现，丰富了马克思主义关于渐变和突变的辩证法。 |
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条