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1)  hole buffer layer
空穴缓冲层
1.
Investigation on organic light-emitting diodes with TiO_2 ultra-thin films as hole buffer layer by RF magnetron sputtering;
磁控溅射法制备TiO_2空穴缓冲层的有机发光器件
2.
An organic light-emitting diodes (OLEDs) using ZnS thin film by RF magnetron sputtering as a hole buffer layer were prepared.
用磁控溅射方法制备的ZnS薄膜作为有机发光器件(OLEDs)的空穴缓冲层,使典型结构的OLEDs(ITO/TPD/Alq/LiF/Al)的发光性能得到改善。
3.
Influence of hole buffer layer CuPc on the properties of OLED is studied.
采用旋涂和真空蒸发沉积工艺制备了结构分别为ITO/PVK :TPD/Alq3 /Al和ITO/PVK :TPD/LiBq4/Alq3 /Al的绿色和蓝色有机电致发光器件 (OLED) ,并研究了空穴缓冲层CuPc对OLED特性的影响 。
2)  Hole buffer
空穴缓冲
1.
0 nm LiF hole buffer layer is inserted between ITO and TPD.
实验结果表明:LiF层有效地阻挡空穴注入,增强载流子注入平衡,提高了器件的亮度和效率,含有1nm厚LiF空穴缓冲层器件的性能最好,效率较不含缓冲层器件提高了近1。
3)  Buffer space
缓冲空间
1.
Research on architectural climatic buffer space;
建筑气候缓冲空间的设计研究
4)  Buffer layer
缓冲层
1.
Influence of buffer layers on the anisotropic magnetoresistance of NiCo films;
缓冲层对NiCo薄膜各向异性磁致电阻的影响
2.
Sputtering growth of preferential c-axis-oriented aluminum nitride film using homogeneous buffer layer;
利用同质缓冲层溅射生长c轴择优取向氮化铝薄膜
3.
Effects of buffer layer on properties of PMS-PNN-PZT piezoelectric thick film material;
缓冲层对PMS-PNN-PZT压电厚膜材料性能的影响
5)  NiFe buffer layer
NiFe缓冲层
1.
NiFe buffer layer thin films with nano-sized crystallites were prepared by electrodeposition on semiconductor Si(111) substrates.
采用电化学沉积法,在半导体硅片上制备了具有纳米晶粒尺寸的NiFe缓冲层薄膜,并确定了获得Ni80Fe20合金的工艺条件。
6)  buffer layers
缓冲层
1.
Fabrication of buffer layers and YBaCuO coated conductors by all chemical methods
全化学法制备缓冲层和YBaCuO超导涂层
2.
The yttrium-stabilized zirconia(YSZ)and strontium titanium(STO)film buffer layers were prepared by Sol-gel process on Si substrates.
采用溶胶-凝胶法在硅基板上先分别制备钇稳定氧化锆(YSZ)和钛酸锶(STO)两种薄膜缓冲层。
3.
2MnO_3 (110) film was shown when SrMnO3 (40 nm) buffer layers grown at 500 ℃.
当沉积温度为500℃时,在40nm缓冲层SrMnO3上,La0。
补充资料:缓冲层
分子式:
CAS号:

性质:斜交轮胎胎面与胎体之间的胶布层或胶层。其主要作用是缓和外来冲击,防止外层胶的龟裂直接抵达胎体帘布层,并承受轮胎在行驶时或突然停止时,由于惯性作用而产生的剪切应力。为此,它应具有较好的导热性、耐老化性、多次变形下的耐疲劳性和低生热性及耐热性等。所用的帘线强度必须高于胎体帘线。

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参考词条