1) Cdl-x_Znx_Te
碲锌镉材料
2) cadmium zinc tellutide substrate material
碲锌镉衬底材料
3) HgCdTe
碲镉汞材料
1.
HgCdTe is a very important fundamental infrared semiconductor material for our national high technology, HgCdTe and related devices have been adopted as the key component in the region of our independent space technology and used in the weather satellite of our country.
碲镉汞材料是我国战略性高技术-红外光电技术的重要支撑性与基础性材料,已作为我国的自主技术在国家的航天领域得到了在轨应用。
4) CdZnTe
碲锌镉
1.
Research on Growth and Properties of CdZnTe Single Crystal;
优质碲锌镉单晶的生长及性能测试
2.
Evolution of Solid-liquid Interface of CdZnTe Crystal Growth by Vertical Bridgman Method;
碲锌镉垂直布里奇曼法晶体生长过程固液界面的演化
3.
Morphology characteristics of etch pits on CdZnTe crystals developed by usual etchants;
碲锌镉晶体常用腐蚀剂的坑形特性研究
5) CZT
碲锌镉
1.
An Experimental Study of the Polishing Process for CZT Crystal;
碲锌镉晶体基片抛光工艺的实验研究
2.
Firstly,in Raman,we measures CZT s Raman spectra in Anti-Stokes.
文章对碲锌镉 (CZT) (1 1 1 )取向的拉曼光谱和光荧光谱作了分析。
6) Cd_(1-x)Zn_xTe
碲锌镉(CZT)
补充资料：碲镉汞探测器材料
分子式：
CAS号：
性质：用于制造8～14μm波段红外探测器的晶体材料,为光电导型探测器材料。在本征吸收带内具有很高的光学吸收系数(大于2000cm-1，量子效率较高，光电增益很高，电子浓度5×1014cm-3)。空穴浓度1×1016cm-3。采用在碲化镉、碲锌镉衬底上用液相外延法生长薄膜。
CAS号：
性质：用于制造8～14μm波段红外探测器的晶体材料,为光电导型探测器材料。在本征吸收带内具有很高的光学吸收系数(大于2000cm-1，量子效率较高，光电增益很高，电子浓度5×1014cm-3)。空穴浓度1×1016cm-3。采用在碲化镉、碲锌镉衬底上用液相外延法生长薄膜。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条