1) direct point-by-point inscription method
直接逐点刻蚀法
2) point-by-point inscription
逐点刻蚀
3) direct etching
直接刻蚀
1.
We for the first time in China carried out experiments on direct etching of monocrystal silicon with focused KrF excimer laser ( λ =248 nm) beam as shown in Fig.
采用非稳腔的聚焦准分子激光 ( Kr F,λ=2 4 8nm)对单晶硅材料进行直接刻蚀 ,从微结构刻蚀的形状尺寸及加工过程的热效应等方面研究了准分子激光直接刻蚀单晶硅的加工特性。
2.
Based on the laser ablation mechanism, the effect of vapor pressure and thermal conduction on the quality of pattern etching in direct etching with an excimer laser is analyzed.
在激光剥离机制的基础上，分析了激光直接刻蚀过程中，蒸气压及热传导对图形刻蚀质量的影响，并得出了刻蚀不同厚度Ａｌ膜的激光能量密度、脉冲频率和刻蚀脉冲数的最佳组合。
4) approaching method spot by spot
逐点接近法
1.
The approaching method spot by spot is the way generally used in measuring the side pile before the road bed construction.
逐点接近法是路基施工前测设边桩最普遍使用的方法。
5) DC etching
直流刻蚀
1.
Effect of DC etching aluminum current collector on the performance of LiCoO_2 cathode;
直流刻蚀铝集流体对LiCoO_2正极性能的影响
2.
Effect of DC etching of Al current collector on supercapacitors performance;
集流体表面直流刻蚀对超级电容器性能的影响
6) Etching end point
刻蚀终点
补充资料：点对点法
分子式：
CAS号：
性质：发射光谱分析中，将金属试样制成两个锥体状电极，分别作为光源的上下电极，彼此相对以电弧或火花法进行激发摄谱。该法因无辅助电极，所摄光谱中可无其伴存谱线。
CAS号：
性质：发射光谱分析中，将金属试样制成两个锥体状电极，分别作为光源的上下电极，彼此相对以电弧或火花法进行激发摄谱。该法因无辅助电极，所摄光谱中可无其伴存谱线。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条