1) chare injection transistor
电荷注入晶体管
1.
To visualize the relationship between the collector current and source-drain voltage in the SiGe/Si chare injection transistor (CHINT), the mathematical model of this device is set up by using the tunnel model of two-dimensional hole gas(2DHG)in SiGe/Si quantum well.
为了能直观地体现SiGe/Si电荷注入晶体管的收集极电流与漏源电压的关系,利用输入端SiGe/Si量子阱中二维空穴气的隧道模型,建立起此类器件的输入输出数学模型,并利用MATLAB软件对所建模型进行了模拟,结果显示在漏源电压约为1。
2) charge injection
电荷注入
1.
With this energy model, and considering the influences of charge injection and field electron emis.
基于固体的能带理论 ,提出了 2类试品在金属电极 介质的界面处不同的能量状态分布模型 ;并在此基础上同时考虑电荷注入复合和场致电子发射对发光的影响 ,解释了 2类试品发光的差异性 ,指出了采用和未采用真空溅射金属电极的氧化铝陶瓷存在不同的沿面闪络起始机理及发展过程。
2.
The nonideal characteristics of switched capacitor(SC) integrators is analysed in detail, and a noninverting SC integrator that is insensitive to parasitic capacitors is presented, with shunt capacitors especially to reduce the harmonic distortion and noise caused by channel charge injection.
分析了开关电容积分器的非理想特性,同时设计了一个对寄生电容不敏感的同相开关电容(SC)积分器,并特别采用旁路电容减小沟道电荷注入引起的谐波失真和噪声。
3.
The circuit non-idealities of the modulator such as charge injection errors, conductance ratio error, settling error and kT/C noise were modeled behaviorally using SIMULINK based on the relationship between error and parameters of MOS FET.
通过计算晶体管模型参数与误差的关系对电路的非理想特性如:电荷注入误差、输入输出电导比误差、设置误差噪声误差等进行了SIMULINK行为建模。
3) surface charge transistor
表面电荷晶体管
4) spaci tor
空间电荷晶体管
5) stored charge transistor
存储电荷晶体管
6) CFT (Charge-Flow Transister)
电荷流晶体管
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
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参考词条