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1)  plasma enhanced magnetron sputtering deposition
等离子体增强磁控溅射沉积
1.
Al_2O_3 films of RF plasma enhanced magnetron sputtering deposition;
射频等离子体增强磁控溅射沉积Al_2O_3膜
2)  magnetron sputtering plasma
等离子体磁控溅射沉积
3)  plasma enhanced magnetron sputtering
等离子增强磁控溅射
1.
This paper presents a plasma enhanced magnetron sputtering (PEMS) technology, by which Ti–Si–C–N nanocomposite coatings are systematically studied.
介绍了等离子增强磁控溅射(PEMS)技术,系统研究了其制备的Ti–Si–C–N纳米复合膜层。
4)  Plasma enhanced pulsed laser deposition (PE-PLD)
等离子体增强脉冲激光溅射沉积(PE-PLD)
5)  plasma enhanced unbalanced magnetron sputtering
等离子体增强非平衡磁控溅射
6)  PECVD system
磁激活等离子体增强化学气相沉积
1.
Development of magnetic-actuated PECVD system;
磁激活等离子体增强化学气相沉积设备的研制
补充资料:等离子体增强化学气相沉积


等离子体增强化学气相沉积
plasma enhanced chemical vapor deposition

等离子体增强化学气相沉积plasma enhancedChemieal vapor deposition使原料气体在电场中成为等离子体状态,产生化学上非常活泼的激发态分子、原子、离子和原子团等,促进化学反应,在衬底表面上形成薄膜的技术。简称PECVD。它的基本原理是利用等离子体中电子的动能促进化学反应。这一原理在一个世纪前就已被发现,20世纪60年代才开始用于制备薄膜。 在电场的作用下,气体分子成为电离状态,通过正、负电荷之间的激烈作用形成等离子体。在低压容器中,电子由于平均自由程大而得以加速,与中性分子或原子发生碰撞。其中,弹性碰撞使气体温度升高,而非弹性碰撞则使原子和分子激发、离解及电离化,产生化学活性的离子和原子团,促进化学反应。 PECVD淀积主要包括4个过程:①电子与反应气体在等离子体中反应生成离子及自由基;②反应物质从等离子体中输运到衬底表面;③离子、自由基与衬底反应或在其表面吸附;④反应物质或反应产物在衬底上排列成薄膜。后两个过程是决定薄膜质量的主要因素。 PECVD设备主要包括放电系统、抽气系统、反应室及气体导入系统。放电系统用于产生等离子体,一般采用高频电源,频率为50kHz至2.45GHz。高频功率的祸合方式可大致分为电感祸合和电容祸合两类。 PECVD的优点是可在较低温度下成膜,热损失少,从而抑制了与衬底的反应,并可在非耐热衬底上成膜。缺点是衬底表面及薄膜易因高能粒子的轰击而造成损伤,产生缺陷。 PECVD法已广泛应用于制备非晶硅膜、氮化硅、氧化膜等钝化膜‘它也是制备高分子薄膜的重要方法,这时又被称为等离子体聚合法。(章熙康)
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