1) impact ionization
碰撞电离
1.
Photon absorption of conduction band electronsand impact ionization under irradiation of few-cycle ultrashort laser pulses;
周期量级超短激光脉冲作用下导带电子的光吸收与碰撞电离
2.
A quantitative model based on impact ionization is presented.
主要研究电介质击穿的动力学问题，基于碰撞电离理论提出了电介质击穿的定量模型，得出了介质中导体缺陷的长大速率公式和寿命公式，结果与二氧化硅的实验结果符合很好，且所有的参量都具有确定的物理意义。
3.
This paper investigates the relationship between the impact ionization and temperature in ultra high-speed InP-based SHBTs.
从物理机制上分析了超高速InP/InGaAs SHBT碰撞电离与温度的关系,通过加入表示温度的参数和简化电场计算,得到一种改进的碰撞电离模型。
2) collision ionization
碰撞电离
1.
It is concluded that the surface charge characteristic under nanosecond pulse is influenced by the charge injection,the secondary electron emission and the collision ionization and so on.
研究认为:脉冲作用下表面电荷积累受电荷注入、二次电子发射及碰撞电离等多种因素影响。
3) ionizing collision
电离碰撞
4) impact ionization of EL_2
EL2碰撞电离
5) impact ionization rate
碰撞电离率
1.
An analytical expre ssion of impact ionization rate versus maximum channel electric field is deduced by fitting the experimental results.
对高场下碰撞电离率的实验曲线进行拟合 ,可以得到碰撞电离率与器件沟道电场峰值的量化关系 ,由此可以对GaAsPHEMT器件的电性能和可靠性进行改善和评估 。
6) ionization of traps-EL_2
EL_2碰撞电离
补充资料：碰撞电离(见电离)
碰撞电离(见电离)
collision ionization
pengZhLjo门g凶。川!碰撞电离(eollision ionization)见电离。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条