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1)  primary impact ionization
一次碰撞电离
2)  secondary impact ionization
二次碰撞电离
1.
Gate current for pMOSFETs is composed of direct tunneling current,channel hot hole,electron injection current,and highly energetic hot holes by secondary impact ionization.
栅电流由四部分组成 :直接隧穿电流、沟道热空穴、一次碰撞电离产生的电子注入、二次碰撞电离产生的空穴注入 。
3)  First Impact
一次碰撞
例句>>
4)  impact ionization
碰撞电离
1.
Photon absorption of conduction band electronsand impact ionization under irradiation of few-cycle ultrashort laser pulses;
周期量级超短激光脉冲作用下导带电子的光吸收与碰撞电离
2.
A quantitative model based on impact ionization is presented.
主要研究电介质击穿的动力学问题，基于碰撞电离理论提出了电介质击穿的定量模型，得出了介质中导体缺陷的长大速率公式和寿命公式，结果与二氧化硅的实验结果符合很好，且所有的参量都具有确定的物理意义。
3.
This paper investigates the relationship between the impact ionization and temperature in ultra high-speed InP-based SHBTs.
从物理机制上分析了超高速InP/InGaAs SHBT碰撞电离与温度的关系,通过加入表示温度的参数和简化电场计算,得到一种改进的碰撞电离模型。
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5)  collision ionization
碰撞电离
1.
It is concluded that the surface charge characteristic under nanosecond pulse is influenced by the charge injection,the secondary electron emission and the collision ionization and so on.
研究认为:脉冲作用下表面电荷积累受电荷注入、二次电子发射及碰撞电离等多种因素影响。
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6)  ionizing collision
电离碰撞
补充资料：碰撞电离(见电离)


碰撞电离(见电离)
collision ionization

pengZhLjo门g凶。川!碰撞电离(eollision ionization)见电离。
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参考词条