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1)  nization switch
碰撞电离开关
2)  crash switch
碰撞开关
1.
A novel passive MEMS universal crash switch for the special-type transport was developed.
采用MEMS体Si加工工艺和圆片级封装技术,开发了一种基于特种运输中的新型无源MEMS万向碰撞开关。
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3)  impact ionization
碰撞电离
1.
Photon absorption of conduction band electronsand impact ionization under irradiation of few-cycle ultrashort laser pulses;
周期量级超短激光脉冲作用下导带电子的光吸收与碰撞电离
2.
A quantitative model based on impact ionization is presented.
主要研究电介质击穿的动力学问题，基于碰撞电离理论提出了电介质击穿的定量模型，得出了介质中导体缺陷的长大速率公式和寿命公式，结果与二氧化硅的实验结果符合很好，且所有的参量都具有确定的物理意义。
3.
This paper investigates the relationship between the impact ionization and temperature in ultra high-speed InP-based SHBTs.
从物理机制上分析了超高速InP/InGaAs SHBT碰撞电离与温度的关系,通过加入表示温度的参数和简化电场计算,得到一种改进的碰撞电离模型。
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4)  collision ionization
碰撞电离
1.
It is concluded that the surface charge characteristic under nanosecond pulse is influenced by the charge injection,the secondary electron emission and the collision ionization and so on.
研究认为:脉冲作用下表面电荷积累受电荷注入、二次电子发射及碰撞电离等多种因素影响。
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5)  ionizing collision
电离碰撞
6)  impact ionization of EL_2
EL2碰撞电离
补充资料：碰撞电离(见电离)


碰撞电离(见电离)
collision ionization

pengZhLjo门g凶。川!碰撞电离(eollision ionization)见电离。
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