1) GaAs MESFET
砷化镓场效应管
1.
STUDY OF POTENTIAL FAILURES OF THE GaAs MESFET OWING TO ELECTROSTATIC DISCHARGE;
砷化镓场效应管的潜在性失效
3) gallium arsenide metal semiconductor field effect transistor(GaAs MESFET)
砷化镓金属化半导体场效应晶体管
5) GaAs FET nonlinearity
砷化镓场效应管非线性特性
6) AlGaN/GaN HFET
铝镓氮/氮化镓异质结场效应管
补充资料：场效应晶体管
| 场效应晶体管 field effect transistor 利用场效应原理工作的晶体管。英文简称FET。场效应就是改变外加垂直于半导体表面上电场的方向或大小，以控制半导体导电层（沟道）中多数载流子的密度或类型。它是由电压调制沟道中的电流，其工作电流是由半导体中的多数载流子输运。这类只有一种极性载流子参加导电的晶体管又称单极型晶体管。与双极型晶体管相比，场效应晶体管具有输入阻抗高、噪声小、极限频率高、功耗小，制造工艺简单、温度特性好等特点，广泛应用于各种放大电路、数字电路和微波电路等。以硅材料为基础的金属氧化物半导体场效应管（MOSFET)和以砷化镓材料为基础的肖特基势垒栅场效应管（MESFET）是两种最重要的场效应晶体管，分别为MOS大规模集成电路和MES超高速集成电路的基础器件。 |
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参考词条